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京東方華燦擬5500萬元向北方華創(chuàng)采購Micro LED相關設備
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 26 日 16:46 | 分類 企業(yè)
12月22日，京東方華燦發(fā)布公告稱，公司全資子公司華燦光電（廣東）有限公司（以下簡稱廣東華燦）和華燦光電（浙江）有限公司（以下簡稱浙江華燦）擬使用募集資金向關聯(lián)方北方華創(chuàng)購買生產設備，關聯(lián)交易總額預計不超5,500萬元。 其中，廣東華燦擬使用募投項目中的“Micro LED晶圓制...  [詳內文]

蘇格蘭SiC晶圓廠Clas-SiC開展大動作
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:46 | 分類 企業(yè)
12月19日，據(jù)外媒消息，蘇格蘭碳化硅（SiC）晶圓廠Clas-SiC正在尋求2400萬英鎊（折合人民幣約2.18億元）的投資，用來擴大潔凈室空間并購買額外的生產設備，此舉有望將工廠的產能擴大至2.5倍，該筆資金還可以用于后續(xù)的工藝開發(fā)和彈性運營。 據(jù)了解， Clas-SiC是英...  [詳內文]

韓國APROSEMICON公司新建GaN生產基地
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:45 | 分類 企業(yè)
據(jù)外媒消息，近日，韓國APROSEMICON公司（首席執(zhí)行官Jonghyun Lim）將把其光州總部遷至慶北龜尾，并投資600億韓元（折合人民幣約3.3億元）建設以氮化鎵 (GaN) 為基礎的功率半導體生產設施。 為此，該公司于12日與慶尚北道和龜尾市簽署了諒解備忘錄。Apros...  [詳內文]

上海新一代化合物半導體產業(yè)基地項目有新進展
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:44 | 分類 功率
根據(jù)中建八局上海公司官微消息，昨（24）日，新一代化合物半導體研制基地項目全面封頂，標志著項目高效、安全地完成了主體結構建設任務。 據(jù)介紹，項目位于浦東新區(qū)泥城鎮(zhèn)，總建筑面積5.79萬平方米，是上海市重大工程。項目以打造國內領先、國際一流的紅外探測器研制生產基地為目標，建成后將形...  [詳內文]

數(shù)千萬！SiC MOSFET廠商至信微電子完成A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè)
近日，深圳市至信微電子有限公司（以下簡稱至信微電子）宣布完成數(shù)千萬元A輪融資，本輪融資由深智城產投、正景資本、揚子江基金、太和基金共同投資，融資資金將用于加速公司產品研發(fā)、團隊擴建以及市場拓展等。 資料顯示，至信微電子成立于2021年11月，是一家專注于第三代半導體功率器件研發(fā)的...  [詳內文]

南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 25 日 17:43 | 分類 企業(yè)
12月22日，電科材料下屬國盛公司南京外延材料產業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵（GaN on Si）外延片正式下線。 據(jù)介紹，GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢，制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢，具有較強的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片，可以滿足電...  [詳內文]

河北印發(fā)支持第三代半導體發(fā)展若干措施通知
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 22 日 13:45 | 分類 功率
近日，為推動為貫徹落實全省推動電子信息產業(yè)發(fā)展座談會精神,加快第三代半導體發(fā)展，河北省人民政府印發(fā)《關于支持第三代半導體等5個細分行業(yè)發(fā)展的若干措施》，相關內容如下： (一)支持設計研發(fā)驗證 對擁有自主知識產權的第三代半導體設計企業(yè),其研發(fā)設計的新產品通過用戶驗證并產生銷售收入,...  [詳內文]

意法半導體與理想汽車簽署SiC長期供貨協(xié)議
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 22 日 13:41 | 分類 功率
12月22日，意法半導體官微宣布，公司與理想汽車簽署了一項碳化硅（SiC）長期供貨協(xié)議。按照協(xié)議，意法半導體將為理想汽車提供SiC MOSFET，支持理想汽車進軍高壓純電動車市場的戰(zhàn)略部署。 意法半導體和理想聚焦SiC 作為全球半導體知名廠商和國內新能源汽車龍頭企業(yè)，意法半導體和...  [詳內文]

斥資50億！光谷打造化合物半導體企業(yè)總部園區(qū)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 21 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月20日，武漢東湖高新區(qū)（以下簡稱光谷）宣布投資50億元建設化合物半導體孵化加速及制造基地，選址九峰山實驗室南面，計劃明年開工，后年投用。作為總部園區(qū)，力爭在3年內引育企業(yè)100家。 據(jù)悉，九峰山實驗室是湖北十大實驗室之一，已建成化合物半導體產業(yè)科研及中試平臺。該總部園區(qū)將利...  [詳內文]