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致能科技首發(fā)1200V D-Mode氮化鎵器件平臺(tái)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 09 日 17:35 | 分類 企業(yè)
11月8日，廣東致能科技有限公司首發(fā)1200V 耗盡型（D-Mode）高可靠性氮化鎵（GaN）器件平臺(tái)。在滿足1200V系統(tǒng)可靠性條件下，本征擊穿已經(jīng)達(dá)到2400V，可用于工業(yè)、新能源、汽車等領(lǐng)域。 資料顯示，致能科技成立于2018年12月，公司總部位于廣州，在徐州、深圳、上海等...  [詳內(nèi)文]

全球首個(gè)100mm的金剛石晶圓面世
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 08 日 14:56 | 分類 企業(yè)
近日，總部位于加利福尼亞州舊金山的Diamond Foundry Inc宣布制造出了世界上第一塊直徑為100毫米的單晶金剛石晶圓。 該公司計(jì)劃提供金剛石基板作為改善熱性能的途徑，這反過(guò)來(lái)又可以改善人工智能計(jì)算和無(wú)線通信以及更小的電力電子設(shè)備。 該公司使用一種稱為異質(zhì)外延的工藝來(lái)沉...  [詳內(nèi)文]

東部高科正式啟動(dòng)超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 08 日 14:53 | 分類 功率
近日，韓國(guó)8英寸晶圓代工廠東部高科（DB Hitek）宣布升級(jí)超高壓（UHV）功率半導(dǎo)體工藝技術(shù)，正式進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。 資料顯示，超高壓功率半導(dǎo)體可廣泛應(yīng)用于家電、汽車、通信和工業(yè)等領(lǐng)域。相關(guān)人士表示，東部高科將以其具有競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ)，向高附加值、高增長(zhǎng)的...  [詳內(nèi)文]

11.9億，大基金等助力士蘭微SiC功率器件生產(chǎn)提速
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 08 日 14:50 | 分類 功率
天眼查顯示，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司（下文簡(jiǎn)稱“士蘭明鎵”）近日發(fā)生工商變更，新增股東國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期股份有限公司（下文簡(jiǎn)稱“大基金二期”）、廈門海創(chuàng)發(fā)展基金合伙企業(yè)（有限合伙）（下文簡(jiǎn)稱“海創(chuàng)發(fā)展基金”），注冊(cè)資本從原先的約12.7億人民幣增至約24.6億人...  [詳內(nèi)文]

電裝5億美元入股SiC晶圓制造企業(yè)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 07 日 17:31 | 分類 企業(yè)
11月6日，株式會(huì)社電裝（Denso）宣布對(duì)Coherent的子公司SiC襯底制造商Silicon Carbide LLC注資5億美元，入股后，電裝將獲得該公司12.5%的股權(quán)。電裝本次投資將確保6英寸和8英寸SiC襯底的長(zhǎng)期穩(wěn)定采購(gòu)。 關(guān)于本次投資，市場(chǎng)方面早有相關(guān)消息傳出。今...  [詳內(nèi)文]

總投資14億，漢天下射頻項(xiàng)目明年Q2竣工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 07 日 17:29 | 分類 射頻
據(jù)“南太湖發(fā)布”公眾號(hào)消息，位于南太湖新區(qū)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園的漢天下射頻芯片項(xiàng)目正處于施工階段，目前輔樓已經(jīng)結(jié)頂，預(yù)計(jì)年底廠房結(jié)頂，明年二季度竣工驗(yàn)收。 據(jù)了解，該項(xiàng)目總投資14億元，占地49畝，建成后將形成2.64億套移動(dòng)終端及車規(guī)級(jí)射頻模塊的年產(chǎn)能，預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)年銷售額20億元。 ...  [詳內(nèi)文]

羅姆宣布明年在日本生產(chǎn)8英寸SiC襯底
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 07 日 17:28 | 分類 功率
羅姆半導(dǎo)體（Rohm）株式會(huì)社社長(zhǎng)松本功近日在2023年11月財(cái)報(bào)電話會(huì)議上宣布，將在位于日本宮崎縣的第二家工廠生產(chǎn)8英寸SiC襯底，主要供該公司內(nèi)部使用，預(yù)計(jì)將于2024年開(kāi)始投產(chǎn)。這將是羅姆首次在日本生產(chǎn)SiC襯底。 據(jù)悉，宮崎第二工廠規(guī)劃項(xiàng)目是羅姆近幾年產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃的一部分...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體再度打入三星供應(yīng)鏈
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 06 日 13:50 | 分類 企業(yè)
納微半導(dǎo)體近日宣布再度進(jìn)入三星供應(yīng)鏈：納微GaNFast GaN功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用。作為下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，GaN正持續(xù)取代傳統(tǒng)Si功率芯片在移動(dòng)設(shè)備、消費(fèi)電子、數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車的市場(chǎng)份額。 據(jù)介紹，為支撐強(qiáng)大的性能，Galaxy S23配備一...  [詳內(nèi)文]

宏微科技：SiC MOS已出樣，成品預(yù)計(jì)明年交付
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 06 日 13:47 | 分類 企業(yè)
宏微科技近日在接受結(jié)構(gòu)調(diào)研時(shí)稱，公司生產(chǎn)的SiC二極管已在客戶端開(kāi)展驗(yàn)證工作，SiC MOS實(shí)現(xiàn)樣品產(chǎn)出，預(yù)計(jì)于2024年第一季度將成品交付客戶使用。 此外，在被問(wèn)及液冷充電樁項(xiàng)目時(shí)，宏微科技表示：液冷充電樁需應(yīng)用SiC器件產(chǎn)品，目前公司的SiC器件產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)階段，預(yù)計(jì)2024...  [詳內(nèi)文]

總投資21億，晶盛機(jī)電SiC襯底片項(xiàng)目正式簽約啟動(dòng)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 06 日 13:42 | 分類 功率
11月4日，晶盛機(jī)電“年產(chǎn)25萬(wàn)片6英寸、5萬(wàn)片8英寸碳化硅襯底片項(xiàng)目”正式簽約啟動(dòng)，此舉旨在攻關(guān)半導(dǎo)體材料端關(guān)鍵核心技術(shù)，最終實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。 據(jù)悉，此次簽約項(xiàng)目總投資達(dá)21.2億元。啟動(dòng)儀式上，晶盛機(jī)電董事長(zhǎng)曹建偉博士表示，本次項(xiàng)目啟動(dòng)，是晶盛機(jī)電創(chuàng)新增長(zhǎng)的重要方向。 資料顯示...  [詳內(nèi)文]