近日,韓國(guó)8英寸晶圓代工廠東部高科(DB Hitek)宣布升級(jí)超高壓(UHV)功率半導(dǎo)體工藝技術(shù),正式進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。
資料顯示,超高壓功率半導(dǎo)體可廣泛應(yīng)用于家電、汽車、通信和工業(yè)等領(lǐng)域。相關(guān)人士表示,東部高科將以其具有競(jìng)爭(zhēng)力的功率半導(dǎo)體技術(shù)為基礎(chǔ),向高附加值、高增長(zhǎng)的超高壓功率半導(dǎo)體方向發(fā)展,增強(qiáng)整體競(jìng)爭(zhēng)力。
通過(guò)觀察東部高科近兩年在功率半導(dǎo)體方面的動(dòng)作不難發(fā)現(xiàn),東部高科進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)已是水到渠成。
2021年11月底,據(jù)韓媒報(bào)道,東部高科將在2022年第一季度開(kāi)發(fā)基于第三代半導(dǎo)體材料的功率半導(dǎo)體,這是其首次進(jìn)軍功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。報(bào)道稱,東部高科彼時(shí)正在開(kāi)發(fā)基于碳化硅(SiC)的6-8英寸功率半導(dǎo)體,目標(biāo)是2022年第一季度推出。
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隨后在2022年6月,東部高科再次引發(fā)外界關(guān)注。多家韓媒指出,東部高科將挑戰(zhàn)8英寸SiC晶圓代工事業(yè)。韓媒消息顯示,東部高科將在位于忠清北道Eumseong-gun,Gamgok-myeon的8英寸半導(dǎo)體工廠建造第三代功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線,目標(biāo)是在2025年內(nèi)生產(chǎn)和供應(yīng)首批1200伏SiC MOSFET。
整個(gè)2022年,東部高科計(jì)劃投入更多資金,進(jìn)行8英寸晶圓設(shè)備的替換升級(jí),目標(biāo)是將8英寸產(chǎn)能由每月13.8萬(wàn)片提高到每月15萬(wàn)片。
時(shí)間進(jìn)入2023年,東部高科持續(xù)投入,不僅宣布正在加大力度研發(fā)SiC功率半導(dǎo)體器件等產(chǎn)品,還為此引進(jìn)了生產(chǎn)所需的核心設(shè)備。
由此可見(jiàn),東部高科正聚焦功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù),并且在源源不斷的輸血和打磨之下,已在行業(yè)內(nèi)站穩(wěn)腳跟,產(chǎn)能可觀,為進(jìn)軍超高壓功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)打下了良好基礎(chǔ)。(文:集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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