近日，日本化工企業(yè)旭化成（Asahi Kasei）旗下的高性能LED制造商Crystal IS宣布，公司生產(chǎn)出了首款4英寸氮化鋁（ALN）襯底，展示了公司生長氮化鋁塊狀單晶工藝的可擴展性，以滿足各類應(yīng)用的生產(chǎn)需求。
Crystal IS
據(jù)了解，氮化鋁襯底具有低缺陷密度、高紫外透明度和低雜質(zhì)濃度的特點，并且由于其超寬帶隙和較高的熱導(dǎo)率，氮化鋁在多個領(lǐng)域都具有較大的應(yīng)用潛力，例如UVC LED和功率器件等。根據(jù)當前UVC LED產(chǎn)品要求，Crystal IS所生產(chǎn)的4英寸氮化鋁襯底的可使用面積超過80％。
旭化成方面表示，本次子公司生產(chǎn)的4英寸氮化鋁襯底，證明了氮化鋁在除UVC LED之外的行業(yè)中，也具有商業(yè)應(yīng)用的可行性。
資料顯示，Crystal IS成立于1997年，致力于開發(fā)氮化鋁襯底，其技術(shù)工藝可用于2英寸直徑襯底中生產(chǎn)UVC LED。這些LED具有260-270nm波長，以及高可靠性和高性能特點，可滿足水消毒、空氣和表面消毒等應(yīng)用。
Crystal IS表示，4英寸氮化鋁襯底的成功生產(chǎn)，表明了公司氮化鋁襯底工藝可擴展性，并能夠提供高質(zhì)量的氮化鋁器件。
目前，Crystal IS每年生產(chǎn)數(shù)千個2英寸襯底，以滿足其UVC LED產(chǎn)品系列Klaran和Optan的需求。本次4英寸氮化鋁襯底的商業(yè)化，將使Crystal IS工廠現(xiàn)有設(shè)施的器件產(chǎn)能增加四倍，并將氮化鋁襯底的新應(yīng)用開發(fā)成為可能，氮化鋁襯底將與公司現(xiàn)有使用替代材料的功率和射頻器件的制造線相結(jié)合。
據(jù)悉，8月13日至18日，Crystal IS將在亞利桑那州圖森舉行的第23屆美國晶體生長與外延會議上展示其4英寸襯底產(chǎn)品最新進展。
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導(dǎo)體。