4月9日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。
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據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器件具有更大的工作電流、電壓以及更小的導(dǎo)通電阻、器件尺寸和更高的轉(zhuǎn)換效率,主要用于制備功率器件、射頻器件及探測(cè)器件,在軌道交通、智能電網(wǎng)、新能源汽車(chē)、光伏發(fā)電、5G移動(dòng)通信、國(guó)防軍工等領(lǐng)域具有廣闊應(yīng)用前景。此外,與目前火熱的碳化硅相比,氧化鎵的大硅片相對(duì)容易制造,有利于降低生產(chǎn)成本并提高產(chǎn)量,市場(chǎng)潛力大。
鎵仁半導(dǎo)體指出,在氧化鎵單晶襯底常見(jiàn)的主流晶面中,(010)襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先,(010)襯底熱導(dǎo)率最高,有利于提升功率器件性能;第二,(010)襯底具有較快的外延生長(zhǎng)速率;第三,基于(010)襯底制備的器件具有更優(yōu)異的性能。
值得一提的是,此前,鎵仁半導(dǎo)體聯(lián)合浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心先進(jìn)半導(dǎo)體研究院、硅及先進(jìn)半導(dǎo)體材料全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,采用自主開(kāi)創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導(dǎo)電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶,并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片。鎵仁半導(dǎo)體也借此成為了國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握6英寸氧化鎵單晶襯底制備技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
如今鎵仁半導(dǎo)體再次推出新產(chǎn)品——2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵半絕緣單晶襯底,并實(shí)現(xiàn)了2英寸(010)氧化鎵單晶襯底的自主量產(chǎn),對(duì)國(guó)內(nèi)氧化鎵相關(guān)產(chǎn)業(yè)擺脫國(guó)際壟斷起正面作用。(集邦化合物半導(dǎo)體Morty整理)
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