11月12日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）“第三代半導體碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)二期項目”開工儀式在北京順利舉行。
source：天科合達
據(jù)集邦化合物半導體此前報道，二期項目位于北京市大興區(qū)大興新城東南片區(qū)0605-022C地塊為現(xiàn)有工程東側(cè)空地；項目總占地面積52790.032m2，總建筑面積105913.29m2，包括生產(chǎn)廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛(wèi)等。
公司擬購置長晶及附屬、晶體加工、晶片加工等工藝設(shè)備，新建6-8英寸碳化硅襯底生產(chǎn)線及研發(fā)中心，以及相關(guān)配套設(shè)施。
項目用于擴大公司碳化硅晶體與晶片產(chǎn)能，同時建設(shè)研發(fā)中心以對生產(chǎn)工藝和參數(shù)持續(xù)進行優(yōu)化和完善，投產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。
天科合達指出，該擴產(chǎn)項目旨在打造行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的智能化生產(chǎn)線，量產(chǎn)8英寸碳化硅襯底。該項目全面投產(chǎn)后，公司的產(chǎn)能將得到顯著提升，進一步鞏固其在碳化硅襯底市場的領(lǐng)先地位。（集邦化合物半導體整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關(guān)注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。