文章分類: 功率

一汽大灣區(qū)研發(fā)院揭牌,聚焦SiC功率半導(dǎo)體等方向

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 20 日 17:45 |
| 分類: 功率
12月18日,中國第一汽車集團(tuán)有限公司大灣區(qū)研發(fā)院揭牌儀式在深圳國資國企產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心舉行。 據(jù)悉,本次揭牌的中國一汽大灣區(qū)研發(fā)院將聚焦新能源和智能汽車領(lǐng)域前瞻技術(shù)、先進(jìn)材料、功率電子、芯片與車路協(xié)同示范五大方向,全力推進(jìn)全固態(tài)激光雷達(dá)、平面柵碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體與先進(jìn)陶瓷材...  [詳內(nèi)文]

總投資約15億元,漢軒車規(guī)級SiC功率器件制造項目開工

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 19 日 13:40 |
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據(jù)徐州高新發(fā)布消息,漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設(shè)。 漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元,占地面積68.8畝,總建筑面積約8萬平米,潔凈室面積1.4萬平米,滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求,是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。 圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目規(guī)劃 V...  [詳內(nèi)文]

總投資近10億,紹興新增SiC項目

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 17:46 |
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近日,紹興中芯集成電路制造股份有限公司(以下簡稱中芯紹興)公布了“碳化硅(SiC)MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。據(jù)悉,該項目位于紹興市越城區(qū),總投資9.61億元,主要從事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具體來看,該項目實施主體為中芯紹興控股子公司中芯越州集成電路制造(紹興)...  [詳內(nèi)文]

湖北將建設(shè)全國化合物半導(dǎo)體研發(fā)生產(chǎn)基地

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 18 日 16:34 |
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近日,湖北省人民政府印發(fā)《湖北省新材料產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展三年行動方案(2023—2025年)》(以下簡稱“《行動方案》”)。 《行動方案》提出發(fā)展目標(biāo),到2025年,湖北全省新材料重點(diǎn)企業(yè)產(chǎn)值超6000億元,其中產(chǎn)值過1000億元企業(yè)超過1家、過500億元企業(yè)超過2家、過100億元企...  [詳內(nèi)文]

SiC開啟800V新時代,政企雙端發(fā)力

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 15 日 20:36 |
| 分類: 功率
12月14日,全球領(lǐng)先的車用技術(shù)企業(yè)采埃孚,宣布其電機(jī)產(chǎn)量已突破300萬臺大關(guān)。 采埃孚稱,電機(jī)量產(chǎn)超過300萬臺顯示出市場對純?nèi)加桶l(fā)動機(jī)的依賴不斷減少,標(biāo)志著整個行業(yè)朝著電動化出行的成功轉(zhuǎn)型。 值得一提的是,采埃孚此前推出采用碳化硅(SiC)技術(shù)的EVSys800電驅(qū)動系統(tǒng),展...  [詳內(nèi)文]

易達(dá)通GaN功率元件能源轉(zhuǎn)換效率已超92%

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 12 日 17:45 |
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近日據(jù)報道,IDM創(chuàng)企易達(dá)通科技已推出多款氮化鎵(GaN)功率IC,采用藍(lán)寶石襯底及LED制程,獲得全球三大LED集團(tuán)青睞,其中2家已下單。執(zhí)行長林仕國表示,GaN具有寬能隙、高電壓驅(qū)動及耐高溫特性,搭載藍(lán)寶石襯底可制造各種功率元件,采用碳化硅(SiC)襯底則可制造射頻元件。 據(jù)...  [詳內(nèi)文]

中科重儀自研功率型GaN-on-Si生產(chǎn)線投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 11 日 17:41 |
| 分類: 功率
近日,蘇州中科重儀半導(dǎo)體材料有限公司(以下簡稱中科重儀)自主研發(fā)的應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的大尺寸硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延片生產(chǎn)線正式建成并投入使用。 據(jù)介紹,目前GaN材料外延生長的主流方法是金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法(MOCVD),由于針對功率型大尺寸GaN-on-Si材料...  [詳內(nèi)文]

193億,羅姆和東芝攜手生產(chǎn)SiC功率器件

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 08 日 17:27 |
| 分類: 功率
12月7日,根據(jù)外國媒體報道,為鞏固自身在電動汽車零部件領(lǐng)域的地位,羅姆(ROHM)和東芝宣布將合作生產(chǎn)碳化硅(SiC)和硅(Si)功率半導(dǎo)體器件,這一計劃得到了日本政府的支持。 ROHM和東芝將分別對SiC和Si功率器件進(jìn)行密集投資,兩者將依據(jù)對方生產(chǎn)力優(yōu)勢進(jìn)行互補(bǔ),有效提高供...  [詳內(nèi)文]

芯塔電子SiC MOSFET通過車規(guī)級認(rèn)證

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 06 日 17:45 |
| 分類: 功率
近日,芯塔電子自主研發(fā)的1200V/80mΩ TO-263-7封裝?SiC MOSFET器件成功獲得第三方權(quán)威檢測機(jī)構(gòu)(廣電計量)全套AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證。 據(jù)介紹,AEC-Q作為國際通用的車規(guī)級電子元器件測試規(guī)范,目前已成為車用元器件質(zhì)量與可靠性的標(biāo)志。試驗項目包含...  [詳內(nèi)文]

中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)SiC MOSFET正式下線

作者 | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 04 日 17:34 |
| 分類: 功率
11月30日,中汽創(chuàng)智首批自主研發(fā)的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結(jié)構(gòu),自主設(shè)計的新型終端結(jié)構(gòu)具有更高的工藝可靠性,在同等耐壓水平下,體積更小,可應(yīng)用于新能源汽車主驅(qū)逆變器等車載電源系統(tǒng)。 作為一家由中國一汽、東風(fēng)公司、南方工業(yè)...  [詳內(nèi)文]