Tag Archives: 凌銳半導(dǎo)體

SiC企業(yè)凌銳半導(dǎo)體推出新一代1200V SiC MOS
作者 |發(fā)布日期 2023 年 10 月 20 日 18:48 | 分類 功率
10月18日，凌銳半導(dǎo)體（上海）有限公司（下文簡稱“凌銳半導(dǎo)體”）官方公眾號發(fā)文宣布，凌銳半導(dǎo)體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。 據(jù)介紹，該產(chǎn)品具備開關(guān)損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18V驅(qū)動的特點，能夠滿足高可靠性、高性能的應(yīng)用需求。 ...  [詳內(nèi)文]

這家SiC企業(yè)完成Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 09 月 11 日 9:47 | 分類 企業(yè)
根據(jù)乾融控股的官微消息， 乾融控股旗下乾融園豐基金已完成對凌銳半導(dǎo)體（上海）有限公司（以下簡稱“凌銳半導(dǎo)體”）Pre-A輪融資的領(lǐng)投，繼續(xù)拓展延鏈第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)生態(tài)投資布局。 根據(jù)凌銳半導(dǎo)體的官網(wǎng)消息可知，該公司專注第三代半導(dǎo)體化硅（SiC）車規(guī)級芯片研發(fā)與銷售。公司總部...  [詳內(nèi)文]