3月17日，廣東東莞隆重舉行2023年首批重大項目動工儀式，啟動天域半導體、光大半導體、比亞迪汽車零部件等60個重大項目建設。
2023年首批動工重大項目中，天域半導體總部、生產(chǎn)制造中心和研發(fā)中心建設項目總投資80億，建筑面積約24萬平方米，將建設年產(chǎn)能120萬片的碳化硅外延晶片大型生產(chǎn)基地，預計2023年內(nèi)完成第一期17萬片年產(chǎn)能的建設。
資料顯示，天域半導體成立于2009年，是我國最早實現(xiàn)第三代半導體碳化硅外延片產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)。近日，公司剛獲得近12億元融資，融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產(chǎn)線的擴產(chǎn)以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。
天域半導體項目效果圖
廣東光大第三代半導體科研制造中心1區(qū)，總投資44億元，占地面積約202畝，建筑面積約19萬平方米，建成后主要生產(chǎn)制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。
資料顯示，廣東光大集團以寬禁帶半導體材料為基礎，先后成立中鎵、中圖、中晶、中麒等公司，重點發(fā)展第三代半導體產(chǎn)業(yè)，已實現(xiàn)氮化鎵襯底、芯片、外延片、先進顯示等項目產(chǎn)業(yè)化。
光大半導體項目效果圖
兩個半導體項目順利開工建設，將有助于緩解國內(nèi)化合物半導體市場的原材料“卡脖子”問題，助力我國新能源汽車、太陽能光伏、新型顯示等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。（來源：東莞市發(fā)展和改革局、LEDinside整理）
更多SiC和GaN的市場資訊，請關注微信公眾賬號：集邦化合物半導體。