天域、廣東光大等第三代半導體項目動工建設

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 20 日 10:02 | 分類 碳化硅SiC

3月17日,廣東東莞隆重舉行2023年首批重大項目動工儀式,啟動天域半導體、光大半導體、比亞迪汽車零部件等60個重大項目建設。

2023年首批動工重大項目中,天域半導體總部、生產制造中心和研發(fā)中心建設項目總投資80億,建筑面積約24萬平方米,將建設年產能120萬片的碳化硅外延晶片大型生產基地,預計2023年內完成第一期17萬片年產能的建設。

資料顯示,天域半導體成立于2009年,是我國最早實現第三代半導體碳化硅外延片產業(yè)化的企業(yè)。近日,公司剛獲得近12億元融資,融資資金將繼續(xù)用于增加碳化硅外延產線的擴產以及持續(xù)加大碳化硅大尺寸外延生長研發(fā)投入。

天域半導體項目效果圖

廣東光大第三代半導體科研制造中心1區(qū),總投資44億元,占地面積約202畝,建筑面積約19萬平方米,建成后主要生產制造2-4英寸氮化鎵襯底、2-6英寸GaN on GaN/Si器件、4英寸MiniLED外延芯片。

資料顯示,廣東光大集團以寬禁帶半導體材料為基礎,先后成立中鎵、中圖、中晶、中麒等公司,重點發(fā)展第三代半導體產業(yè),已實現氮化鎵襯底、芯片、外延片、先進顯示等項目產業(yè)化。

光大半導體項目效果圖

兩個半導體項目順利開工建設,將有助于緩解國內化合物半導體市場的原材料“卡脖子”問題,助力我國新能源汽車、太陽能光伏、新型顯示等戰(zhàn)略性新興產業(yè)的高質量發(fā)展。(來源:東莞市發(fā)展和改革局、LEDinside整理)

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