3月15日,臺(tái)灣漢磊集團(tuán)董事長(zhǎng)徐建華到訪愛(ài)仕特進(jìn)行交流。
雙方在以下方面達(dá)成重要合作,基于雙方2022年已簽署的LTA協(xié)議,漢磊將重點(diǎn)考慮滿足愛(ài)仕特的代工產(chǎn)能需求;1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準(zhǔn)備;共同合作開(kāi)發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù);共同合作開(kāi)發(fā)SiC MOS 8英寸工藝技術(shù)。
交流中,徐建華介紹了漢磊集團(tuán)SiC MOS現(xiàn)有的代工產(chǎn)能和新技術(shù)研發(fā)狀況,擴(kuò)產(chǎn)的規(guī)劃和詳細(xì)進(jìn)展,后續(xù)重點(diǎn)發(fā)展車(chē)規(guī)級(jí)芯片代工(長(zhǎng)期為英飛凌車(chē)規(guī)級(jí)MOS提供代工服務(wù))。
愛(ài)仕特方面,展示了公司自主研發(fā)并生產(chǎn)的全SiC MOS模塊,全部采用漢磊代工生產(chǎn)的1200V 17毫歐SiC MOS芯片,也是國(guó)內(nèi)率先上車(chē)使用的自主研發(fā)的SiC MOS芯片。
圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
據(jù)悉,漢磊科技成立于1985年,是全球第一家Linear Bipolar IC專(zhuān)業(yè)代工廠,具備化合物半導(dǎo)體氮化鎵 (GaN) 及碳化硅 (SiC)專(zhuān)業(yè)代工能力,擁有1座 4/5英寸晶圓廠、2座 6英寸晶圓廠。
其中,4英寸月產(chǎn)能為1000 pcs、5英寸月產(chǎn)能為8000 pcs,6英寸月產(chǎn)能分別為17 000 pcs和33 000 pcs。
愛(ài)仕特主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅大功率電力電子芯片與模塊,以及相關(guān)系統(tǒng)方案的開(kāi)發(fā)。產(chǎn)品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片,高功率低耗損的SiC MOS模塊,以及基于SiC MOS模塊的整機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)方案,各項(xiàng)性能指標(biāo)達(dá)到國(guó)際水平,提供各類(lèi)規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。
目前,愛(ài)仕特采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 產(chǎn)品,并建立起車(chē)規(guī)級(jí)的 SiC MOS 模塊工廠。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理)
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