11月27日，中瓷電子在投資者互動平臺表示，公司子公司博威集成電路擴建工程第三代半導體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為氮化鎵（GaN）通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。
中瓷電子稱，博威公司主營業(yè)務為氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品的設計、封裝、測試和銷售，主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點對點通信射頻芯片與器件等。
資料顯示，中瓷電子成立于2009年，從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，公司電子陶瓷外殼類產(chǎn)品是高端半導體元器件中實現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁，對半導體元器件性能具有重要作用和影響。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉，第三代半導體氮化鎵微波射頻器件具有高輸出功率、高效率、高頻率、大帶寬、低熱阻、抗輻照能力強等優(yōu)良特性，是非常理想的微波功率器件，因此成為4G/5G移動通信系統(tǒng)中首選的核心微波射頻器件，推廣應用前景可期。整個產(chǎn)業(yè)來看，根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導體市場分析報告》顯示，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。
今年以來，作為陶瓷產(chǎn)品廠商，中瓷電子從收購博威公司股權開始，直接跨界布局氮化鎵，也是看中了氮化鎵發(fā)展?jié)摿?。今?月，中瓷電子發(fā)布公告，宣布擬募集資金不超過25億元，用于向中國電科十三所購買其持有的博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產(chǎn)及負債，同時，擬購買北京國聯(lián)萬眾半導體科技有限公司94.60%股權。
而募集資金在支付本次重組相關費用后也基本都用于第三代半導體功率器件相關項目，包括博威公司的“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設項目”、“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設項目”以及國聯(lián)萬眾的“第三代半導體工藝及封測平臺建設項目”等。
中瓷電子主營業(yè)務并非第三代半導體功率器件，涉足該領域最直接的方式之一便是并購相關廠商，而博威第三代半導體功率器件項目投產(chǎn)，意味著中瓷電子親自入場，成為賽道又一位強有力的玩家。（集邦化合物半導體Zac整理）
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