中瓷電子:博威第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目建成投用

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 17:45 | 分類 企業(yè)

11月27日,中瓷電子在投資者互動(dòng)平臺(tái)表示,公司子公司博威集成電路擴(kuò)建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目已建成并投入使用,項(xiàng)目主要產(chǎn)品為氮化鎵(GaN)通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品,產(chǎn)能規(guī)劃為600萬(wàn)只/年。

中瓷電子稱,博威公司主營(yíng)業(yè)務(wù)為氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、封裝、測(cè)試和銷售,主要產(chǎn)品包括氮化鎵通信基站射頻芯片與器件、微波點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信射頻芯片與器件等。

資料顯示,中瓷電子成立于2009年,從事電子陶瓷系列產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)和銷售,公司電子陶瓷外殼類產(chǎn)品是高端半導(dǎo)體元器件中實(shí)現(xiàn)內(nèi)部芯片與外部電路連接的重要橋梁,對(duì)半導(dǎo)體元器件性能具有重要作用和影響。

圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)

據(jù)悉,第三代半導(dǎo)體氮化鎵微波射頻器件具有高輸出功率、高效率、高頻率、大帶寬、低熱阻、抗輻照能力強(qiáng)等優(yōu)良特性,是非常理想的微波功率器件,因此成為4G/5G移動(dòng)通信系統(tǒng)中首選的核心微波射頻器件,推廣應(yīng)用前景可期。整個(gè)產(chǎn)業(yè)來(lái)看,根據(jù)TrendForce集邦咨詢《2023全球GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告》顯示,全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長(zhǎng)到2026年的13.3億美金,復(fù)合增長(zhǎng)率高達(dá)65%。

今年以來(lái),作為陶瓷產(chǎn)品廠商,中瓷電子從收購(gòu)博威公司股權(quán)開(kāi)始,直接跨界布局氮化鎵,也是看中了氮化鎵發(fā)展?jié)摿Α=衲?月,中瓷電子發(fā)布公告,宣布擬募集資金不超過(guò)25億元,用于向中國(guó)電科十三所購(gòu)買(mǎi)其持有的博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負(fù)債,同時(shí),擬購(gòu)買(mǎi)北京國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾半導(dǎo)體科技有限公司94.60%股權(quán)。

而募集資金在支付本次重組相關(guān)費(fèi)用后也基本都用于第三代半導(dǎo)體功率器件相關(guān)項(xiàng)目,包括博威公司的“氮化鎵微波產(chǎn)品精密制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”、“通信功放與微波集成電路研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目”以及國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾的“第三代半導(dǎo)體工藝及封測(cè)平臺(tái)建設(shè)項(xiàng)目”等。

中瓷電子主營(yíng)業(yè)務(wù)并非第三代半導(dǎo)體功率器件,涉足該領(lǐng)域最直接的方式之一便是并購(gòu)相關(guān)廠商,而博威第三代半導(dǎo)體功率器件項(xiàng)目投產(chǎn),意味著中瓷電子親自入場(chǎng),成為賽道又一位強(qiáng)有力的玩家。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)

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