牛津儀器?(Oxford Instruments)?宣布旗下用于GaN HEMT 器件生產(chǎn)的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設備獲得多家日本代工廠的大量訂單。
這些設備將支持高增長的GaN電力電子和射頻市場，其中消費類快速充電和數(shù)據(jù)中心應用是GaN電力電子應用的最前沿，而 5G/6G 通信應用則是射頻市場的前沿應用。
Oxford Instruments的ALD技術可提供高通量、低損傷等離子處理，同時提高薄膜和界面質(zhì)量，主要面向GaN HEMT器件制造商。
Oxford Instruments用于p-GaN HEMT的ALE解決方案已通過生產(chǎn)認證，并將低損傷蝕刻特性和此前與LayTec AG合作的端點檢測技術Etchpoint所擁有的高準確性相結合。
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Etchpoint可以從標準高速蝕刻處理自動切換到低損傷ALE，以提高的器件可靠性。此外，ALE 還能以?±0.5 nm 的高精度實現(xiàn)具有臨界目標深度的部分AlGaN凹槽蝕刻，從而實現(xiàn)下一代GaN MISHEMT E-mode器件功能。這些技術集中在一個自動處理裝置上，在真空的環(huán)境下實現(xiàn)多腔處理，從而有可能提高器件性能，并以更低的成本每天生產(chǎn)更多優(yōu)質(zhì)晶圓。
“日本主要電力電子和射頻市場的GaN HEMT 產(chǎn)量大幅提升，我們通過擴大現(xiàn)有和新客戶的安裝基礎而從中受益?？吹结槍?GaN 表面等離子體預處理而優(yōu)化的 ALD 解決方案以及帶有Etchpoint技術的ALE在日本和全球領先的GaN HEMT制造商中得到應用，我們感到非常興奮。公司完整的GaN HEMT解決方案旨在處理客戶的復雜設備難題，并提高設備產(chǎn)量、可靠性和正常運行時間，”O(jiān)xford Instruments GaN產(chǎn)品經(jīng)理Aileen O’Mahony說。
GaN作為第三代半導體材料的代表之一，在電力電子和射頻通信領域有著優(yōu)異的表現(xiàn)。據(jù)TrendForce集邦咨詢預估，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。
ALD設備有助于實現(xiàn)高性能、高可靠性和高效率的GaN功率器件，推動GaN技術在電力電子、射頻通信等領域的廣泛應用。
目前，中國擁有最大的ALD設備市場，其次是韓國、北美、日本、歐洲。而全球ALD設備市場由外資企業(yè)占據(jù)大頭，如Veeco Instruments、Encapsulix、CVD Equipment、Oxford Instruments、ASM International等國外龍頭大廠。
反觀國內(nèi)，目前有微導納米、中微半導體、北方華創(chuàng)、理想晶延半導體等公司正在研發(fā)和生產(chǎn)ALD設備。這些國內(nèi)廠商在ALD設備領域取得了一定的進展，但與國際領先企業(yè)相比，仍存在一定的差距。
面對功率半導體下游市場的強勁需求，國內(nèi)企業(yè)想要降低擴產(chǎn)風險，考慮到地緣政治影響，設備國產(chǎn)化勢在必行，且國內(nèi)市場廣闊，設備技術升級潛在動力強勁。（集邦化合物半導體Rick編譯）
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