據(jù)國家知識產(chǎn)權局公告，湖南三安半導體有限公司（下文簡稱湖南三安半導體）獲得名為“半導體器件”專利授權，授權公告日為9月15日，授權公告號為CN219696448U。
source:國家知識產(chǎn)權局
根據(jù)摘要可知，該申請公開了一種半導體器件，屬于半導體技術領域。
半導體器件包括芯片；基板，基板包括安裝部和第一端子，第一端子連接在安裝部的第一端部；塑封體，安裝部包括裸露在塑封體的頂面的第一面和被塑封體包裹的第二面，芯片安裝在安裝部的第二面，第一端子從塑封體的第一側伸出并向塑封體的底面彎折；第二端子和第三端子，第二端子和第三端子與芯片電連接且從與塑封體的第一側相對的第二側的中部伸出；安裝部還包括與第一端部相對設置的第二端部，在安裝部的第二端部與第二端子和第三端子之間的塑封體上設置有凹槽，可增大基板與第二端子和第三端子之間的爬電距離，從而提高了半導體器件的安全性。
據(jù)悉，本月初湖南三安半導體就在SEMICON TaiWan 2023展會上，除了推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET外，三安半導體還首發(fā)了8英寸碳化硅襯底。
從產(chǎn)能來看，湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產(chǎn)能2,000片/月。其6英寸碳化硅襯底已通過數(shù)家國際大客戶驗證，并實現(xiàn)批量出貨，且2023年、2024年供應已基本鎖定。
此次獲取專利授權也是從側面表示，三安光電在積極擴大產(chǎn)能的同時，亦重視技術創(chuàng)新，其大有產(chǎn)能和技術兩手都抓的態(tài)勢。（文：集邦化合物半導體Morty整理）
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