1月15日，江蘇誠盛科技——麒思大功率器件項目在江蘇揚州高郵正式發(fā)布。項目計劃總投資9億元，主要生產(chǎn)大功率器件、SiC、IGBT模塊封測等產(chǎn)品。
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據(jù)悉，該項目由誠盛科技控股（持股比例94%）子公司麒思電子承擔(dān)。麒思電子自建廠房總面積30740㎡，其中23000㎡用于生產(chǎn)車間。項目分兩期實施，一期投入4.8 億元，預(yù)計將于今年8月量產(chǎn)，可年產(chǎn)分立器件3.3億只、模塊120萬只。
作為一家專注芯片設(shè)計，晶圓制造，芯片封裝測試及OLED顯示模組研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)的廠商，誠盛科技通過控股子公司投建SiC相關(guān)項目，看中的是SiC產(chǎn)業(yè)日益增長的市場規(guī)模。
除麒思電子外，近期還有其他廠商也簽約啟動了SiC相關(guān)項目，包括連城數(shù)控第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目、大江半導(dǎo)體新建SiC項目等。
其中，連城數(shù)控1月10日發(fā)布公告稱，公司及下屬全資子公司連科半導(dǎo)體擬與無錫市錫山區(qū)錫北鎮(zhèn)政府簽署《錫山區(qū)工業(yè)項目投資協(xié)議書》，投建第三代半導(dǎo)體設(shè)備研發(fā)制造項目。根據(jù)協(xié)議，連城數(shù)控指定連科半導(dǎo)體作為投資主體，計劃投資總額不超過10.50億，在無錫市投資建設(shè)SiC長晶和加工設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)制造基地。
據(jù)了解，2023年上半年，連城數(shù)控液相法SiC長晶爐順利下線并取得客戶數(shù)臺訂單，而SiC立式感應(yīng)合成爐科研成果也通過了專家團(tuán)的鑒定。
此外，浙江省發(fā)改委官網(wǎng)近日公示，2024年度浙江省重大產(chǎn)業(yè)項目擬新增1個SiC項目，總投資38億元，共計建筑面積77745.78平米，由大江半導(dǎo)體承擔(dān)。
另外根據(jù)杭州規(guī)劃和自然資源局官網(wǎng)公布的《蕭政工出〔2023〕30號功率器件封裝模塊制造項目環(huán)境影響報告表》內(nèi)容指出，該項目計劃生產(chǎn)SiC功率模塊。項目建成后，具有年產(chǎn)SiC功率模塊240萬個。
除即將新建的項目外，近期還有多個SiC相關(guān)項目取得進(jìn)展，包括天科合達(dá)SiC晶片二期擴產(chǎn)項目、蘇州納米城第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地項目等。
其中，天科合達(dá)SiC晶片二期擴產(chǎn)項目于12月28日全面封頂。據(jù)介紹，天科合達(dá)SiC晶片二期項目總投資8.3億元，建筑面積約5萬平方米，購置安裝單晶生長爐及配套的多線切割機，外圓及平面磨床，雙磨研磨機等主要生產(chǎn)設(shè)備以及配套動力輔助設(shè)備合計647臺（套），預(yù)計2024年6月竣工，全部達(dá)產(chǎn)后年產(chǎn)SiC襯底16萬片。
此外，蘇州納米城國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化基地項目企業(yè)總部工程于12月29日交付。該項目于2022年1月14日開工，首期占地105畝，總建筑面積超20萬平方米，將布局建設(shè)符合第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新的3萬平方米高標(biāo)準(zhǔn)潔凈廠房以及配套設(shè)施。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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