年關(guān)將至，諸多企業(yè)開(kāi)始著手準(zhǔn)備發(fā)布公司年度業(yè)績(jī)，但也不乏企業(yè)加速產(chǎn)品推新，加強(qiáng)自身市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
清純半導(dǎo)體推出1200V / 3.5mΩ SiC MOSFET芯片
近日，清純半導(dǎo)體正式推出1200V/3.5mΩ的SiC MOSFET芯片（型號(hào)：SG2MA35120B）及對(duì)應(yīng)SOT227封裝產(chǎn)品（型號(hào)：S1P04R120SSE），以滿足客戶在高性能、大功率應(yīng)用的需求。
圖1和圖2分別展示了該芯片單管SOT227封裝 (圖3）的輸出和擊穿特性曲線。在室溫下，該芯片電阻為3.5毫歐，擊穿電壓不低于1600V。本產(chǎn)品通過(guò)設(shè)計(jì)和工藝的改進(jìn)，完成對(duì)芯片電流路徑上高溫分布電阻的優(yōu)化，特別是溝道電阻與N型區(qū)電阻的折中設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了優(yōu)秀的電阻溫度系數(shù)。測(cè)試結(jié)果表明在175℃下芯片導(dǎo)通電阻僅為室溫下電阻的1.5倍。
source：清純半導(dǎo)體
隨著碳化硅（SiC）材料質(zhì)量和制造技術(shù)的不斷提升，大電流、低導(dǎo)通電阻SiC功率芯片得以實(shí)現(xiàn)，同時(shí)也將進(jìn)一步簡(jiǎn)化功率模塊封裝，加速SiC在新能源汽車等領(lǐng)域的應(yīng)用。本產(chǎn)品通過(guò)結(jié)構(gòu)、工藝的優(yōu)化設(shè)計(jì)，顯著降低了部分關(guān)鍵缺陷對(duì)性能的影響；同時(shí)采用了更低的比電阻設(shè)計(jì)技術(shù)，降低了同電阻下的芯片面積，從而使成品率降低趨勢(shì)得以控制，實(shí)現(xiàn)了大電流、低電阻芯片的量產(chǎn)。
另一方面，SiC MOSFET在大功率應(yīng)用中，容易受到各類干擾的影響而發(fā)生柵極的誤開(kāi)啟，如上下管之間電容自充電引起的寄生開(kāi)啟（Parasitic Turn-on），以及不同橋臂之間的串?dāng)_等。本產(chǎn)品通過(guò)對(duì)柵極微結(jié)構(gòu)布局的優(yōu)化，一方面提升了輸入電容Ciss與轉(zhuǎn)移電容Crss的比值，另一方面提高了閾值電壓，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)串?dāng)_的抑制。
如圖4所示，產(chǎn)品在800V電壓下的Ciss/Crss的電容比達(dá)到580以上。圖5比較了器件閾值電壓和溫度的關(guān)系，在25℃下閾值電壓達(dá)到3.2V，175℃下閾值電壓高于2V。在應(yīng)用方面，該芯片兼容18V與15V驅(qū)動(dòng)電壓，適應(yīng)不同驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)發(fā)需求，方便對(duì)IGBT在各種應(yīng)用的直接替代。
中國(guó)科學(xué)院電工研究所基于芯片產(chǎn)品SG2MA35120B完成了低雜感半橋模塊封裝，雙脈沖測(cè)試波形如圖6所示。中國(guó)科學(xué)院電工研究所研究員寧圃奇表示: “在中科院交叉團(tuán)隊(duì)項(xiàng)目和國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃新能源汽車專項(xiàng)項(xiàng)目的支持下，該單顆芯片在環(huán)境溫度為150°C且母線電壓為800V時(shí)實(shí)現(xiàn)了350A的電流輸出能力。本芯片特別適用于大功率車用電驅(qū)系統(tǒng)，可有效抑制并聯(lián)大數(shù)量小電流芯片帶來(lái)的不均流、不均溫難題”。
Fig 6. 雙脈沖測(cè)試波形（source：清純半導(dǎo)體）
清純半導(dǎo)體始終堅(jiān)持技術(shù)引領(lǐng)，推出的系列SiC產(chǎn)品以優(yōu)異的性能和高可靠性獲得了廣大用戶的一致認(rèn)可。目前，清純半導(dǎo)體已在750V、1200V、1700V、2000V等電壓平臺(tái)上完成數(shù)十種SiC器件的開(kāi)發(fā)與量產(chǎn)，并布局了完善的產(chǎn)能保障體系和嚴(yán)格的質(zhì)量管理體系，清純半導(dǎo)體將在中國(guó)SiC原創(chuàng)技術(shù)策源地和領(lǐng)先供應(yīng)商的道路上不斷取得新的突破。
Qorvo推出D2PAK封裝SiC FET
Qorvo近日發(fā)布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型D2PAK-7L封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的9mΩ 導(dǎo)通電阻RDS(on)。此款750V SiC FET作為Qorvo全新引腳兼容SiC FET系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá)60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器和正溫度系數(shù)（PTC）加熱器模塊等電動(dòng)汽車（EV）類應(yīng)用。
source：Qorvo
據(jù)介紹，UJ4SC075009B7S 在25°C時(shí)的典型導(dǎo)通電阻值為9mΩ，可在高壓、多千瓦車載應(yīng)用中減少傳導(dǎo)損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化裝配流程，降低客戶的制造成本。全新的750V系列產(chǎn)品是對(duì)Qorvo現(xiàn)有的1200V和1700V D2PAK封裝車用SiC FET的補(bǔ)充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿足400V和800V電池架構(gòu)電動(dòng)汽車的應(yīng)用需求。
Qorvo電源產(chǎn)品線市場(chǎng)總監(jiān)Ramanan Natarajan表示：“這一全新SiC FET系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車動(dòng)力總成設(shè)計(jì)人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾，以助力其應(yīng)對(duì)獨(dú)特的車輛動(dòng)力挑戰(zhàn)?！?/p>
這些第四代SiC FET采用Qorvo獨(dú)特的共源共柵結(jié)構(gòu)電路配置，將SiC JFET與硅基MOSFET合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢(shì)和硅基MOSFET簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)的器件。SiC FET的效率取決于傳導(dǎo)損耗；得益于業(yè)界卓越的低導(dǎo)通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo的共源共柵結(jié)構(gòu)/JFET方式帶來(lái)了更低的傳導(dǎo)損耗。
來(lái)源：清純半導(dǎo)體、Qorvo
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