近日，晶盛機(jī)電和晶升股份兩家SiC廠商相繼披露了在8英寸方面取得的新進(jìn)展。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
晶盛機(jī)電：6、8英寸SiC襯底片已批量銷售
3月20日，晶盛機(jī)電在互動(dòng)平臺(tái)表示，自2023年11月4日簽約并啟動(dòng)“年產(chǎn)25萬片6英寸、5萬片8英寸SiC襯底片項(xiàng)目”以來，公司積極推進(jìn)項(xiàng)目進(jìn)度與產(chǎn)能提升，目前6、8英寸SiC襯底片已實(shí)現(xiàn)批量銷售。
2023年以來，在SiC襯底研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化方面，晶盛機(jī)電持續(xù)突破。2023年12月5日，晶盛機(jī)電披露最新調(diào)研紀(jì)要稱，2023年11月，晶盛機(jī)電正式進(jìn)入了6英寸SiC襯底項(xiàng)目的量產(chǎn)階段，而8英寸襯底片處于小批量試制階段。隨后在12月中旬，晶盛機(jī)電披露8英寸SiC襯底已實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)。
與此同時(shí)，晶盛機(jī)電致力于SiC相關(guān)設(shè)備研發(fā)。2023年2月，晶盛機(jī)電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)備，該SiC外延設(shè)備在外延產(chǎn)能、運(yùn)營(yíng)成本等方面進(jìn)行了優(yōu)化，與單片設(shè)備相比，新設(shè)備單臺(tái)產(chǎn)能增加70%，單片運(yùn)營(yíng)成本降幅可達(dá)30%以上。
在6英寸SiC外延設(shè)備基礎(chǔ)上，3月20日，在SEMICON China 2024上海國(guó)際半導(dǎo)體展期間，晶盛機(jī)電發(fā)布了8英寸雙片式SiC外延設(shè)備、8英寸SiC量測(cè)設(shè)備等8英寸SiC設(shè)備，意味著晶盛機(jī)電正在從襯底、設(shè)備等環(huán)節(jié)全面布局8英寸SiC產(chǎn)業(yè)鏈。
晶升股份：已向多家客戶交付8寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備
3月19日，晶升股份在投資者調(diào)研活動(dòng)中表示，SiC 8英寸替代6英寸的速度快于預(yù)期，國(guó)產(chǎn)SiC襯底廠商的技術(shù)水平也在加速進(jìn)步中，晶升股份已向多家客戶交付8寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備。
晶升股份披露，切割設(shè)備計(jì)劃于今年4月左右發(fā)往客戶現(xiàn)場(chǎng)做最終測(cè)試，若測(cè)試成功即可正式推出。CVD 8英寸多片機(jī)的研發(fā)樣機(jī)已經(jīng)完成，目前正在公司內(nèi)部進(jìn)行功能測(cè)試中，之后預(yù)計(jì)會(huì)提供給研究機(jī)構(gòu)等做相關(guān)測(cè)試。
2024年1月初，晶升股份在投資者關(guān)系活動(dòng)中介紹了SiC長(zhǎng)晶設(shè)備的研發(fā)進(jìn)展。據(jù)介紹，晶升股份8英寸SiC長(zhǎng)晶設(shè)備進(jìn)展順利，已通過了客戶處的批量驗(yàn)證。
項(xiàng)目方面，2023年11月28日，晶升股份宣布，公司總部生產(chǎn)及研發(fā)中心項(xiàng)目完成封頂。據(jù)了解，該項(xiàng)目是在晶升股份現(xiàn)有主營(yíng)業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上實(shí)施產(chǎn)能擴(kuò)充，同時(shí)進(jìn)行晶體生長(zhǎng)設(shè)備和長(zhǎng)晶工藝的技術(shù)研發(fā)與升級(jí)，有助于晶升股份加快研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化、拓寬產(chǎn)品線。
在SiC產(chǎn)業(yè)加速向8英寸轉(zhuǎn)型趨勢(shì)下，晶盛機(jī)電和晶升股份不斷在8英寸領(lǐng)域取得新進(jìn)展，在一定程度上有望搶占8英寸市場(chǎng)先機(jī)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊，請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào)：集邦化合物半導(dǎo)體。