昆芯（上海）科技有限公司
新品發(fā)布
1200伏 14毫歐碳化硅MOS芯片及車規(guī)HPD模塊
產(chǎn)品介紹
昆芯(上海)科技有限公司近期推出自主研發(fā)的1200伏14毫歐碳化硅MOS芯片及相應(yīng)1200V400A/600A碳化硅HPD模塊,并且該模塊已經(jīng)送車廠驗證。這標(biāo)志著昆芯科技在高功率IGBT車規(guī)芯片和模塊成功應(yīng)用在車廠主驅(qū)逆變后,碳化硅車規(guī)芯片和模塊也將實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。
該產(chǎn)品具有：
1.芯片精細(xì)元胞平面柵工藝,柵極質(zhì)量可靠,Rsp國際領(lǐng)先,綜合優(yōu)勢明顯
2.芯片采用直條和菱形導(dǎo)流元胞相結(jié)合的設(shè)計，大大降低了開通和關(guān)斷損耗
3.兼容+15,+18,+20V驅(qū)動電壓,方便使用
4.高溫Rds,on小,適合高溫運行，Tj=175°C
5.Vth及BV一致性好,滿足車廠一致性高要求
6.模塊采用最新一代的太極柱?水冷板,導(dǎo)熱能力提升5%以上
產(chǎn)品展示
Fig.1, 1200V400AHPD碳化硅Module with 太極柱? PIN-FIN水冷板
在同等測試條件下，昆芯科技的模塊產(chǎn)品動靜態(tài)各項參數(shù)都對標(biāo)或優(yōu)于歐洲國際大廠的產(chǎn)品性能,產(chǎn)品性能達到國際平行，國內(nèi)領(lǐng)先。同時,昆芯科技正在積極優(yōu)化產(chǎn)品，下一代芯片表面將采用NiPdAu的化學(xué)鍍工藝，并且采用Cu Clip封裝,這將使得產(chǎn)品的性能有更加大的進步,或?qū)⑷骖I(lǐng)先于歐美國際大廠。
基于的優(yōu)異性能,昆芯科技相繼推出了包括單管及HPD模塊在內(nèi)的多種封裝形式。隨著昆芯科技碳化硅 MOSFET家族再次迎來新成員,公司碳化硅產(chǎn)品系列化布局更加齊全,產(chǎn)品覆蓋電動汽車(EV)主驅(qū)逆變器、OBC/DC-DC、充電樁、光伏和儲能系統(tǒng)(ESS)以及工業(yè)電源等諸多領(lǐng)域,以滿足客戶不同應(yīng)用場景的多樣化需求。
自研國產(chǎn)芯片，掌握核心科技。（來源：昆芯（上海）科技）
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