晶旭半導(dǎo)體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項目主體封頂

作者 | 發(fā)布日期 2024 年 09 月 18 日 18:00 | 分類 企業(yè)

9月17日,據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息,福建晶旭半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱:晶旭半導(dǎo)體)二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設(shè)。目前,項目主體已經(jīng)全部封頂,預(yù)計年底之前具備設(shè)備模擬的條件。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

該項目總投資16.8億元,建設(shè)136畝工業(yè)廠區(qū),據(jù)稱將建成全球首條超寬禁帶半導(dǎo)體高頻濾波芯片生產(chǎn)線,建成后將填補國內(nèi)在氧化鎵壓電薄膜新材料領(lǐng)域的空白。

公開資料顯示,晶旭半導(dǎo)體是一家擁有5G通信中高頻體聲波濾波芯片(BAW)全鏈條核心技術(shù)、以IDM模式運行的廠商。其核心技術(shù)是基于單晶氧化鎵為壓電材料的體聲波濾波器芯片,擁有獨立自主知識產(chǎn)權(quán),已取得多項技術(shù)創(chuàng)新。

據(jù)悉,晶旭半導(dǎo)體致力于打造寬禁帶和超寬禁帶化合物半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈,主要產(chǎn)品為氧化鎵基射頻濾波器芯片或器件等,廣泛用于5G通訊、智能物聯(lián)等應(yīng)用領(lǐng)域。

今年2月2日,晶旭半導(dǎo)體與深圳市睿悅投資控股集團有限公司(以下簡稱:睿悅投資)舉行了戰(zhàn)略投資簽署儀式。

本次睿悅投資作為晶旭半導(dǎo)體的獨家戰(zhàn)略投資人,對晶旭半導(dǎo)體戰(zhàn)略投資億元人民幣,助力晶旭半導(dǎo)體實現(xiàn)年產(chǎn)75萬片氧化鎵外延片、12億顆濾波器芯片項目落成達產(chǎn)。

近期,氧化鎵材料熱度持續(xù)上漲,在技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)能建設(shè)等方面不時傳出新進展。

研發(fā)方面,7月15日,據(jù)鎵仁半導(dǎo)體官微消息,鎵仁半導(dǎo)體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底,據(jù)稱為目前國際上已報道的最大尺寸。

產(chǎn)能方面,9月12日,據(jù)杭州富加鎵業(yè)科技有限公司(以下簡稱:富加鎵業(yè))官微消息,富加鎵業(yè)6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線于9月10日在杭州富陽開工建設(shè)。據(jù)稱,富加鎵業(yè)是國內(nèi)目前唯一一家同時具備6英寸單晶生長及外延的公司,開工建設(shè)的6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線也是國內(nèi)第一條6英寸氧化鎵單晶及外延片生長線。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac)

更多SiC和GaN的市場資訊,請關(guān)注微信公眾賬號:集邦化合物半導(dǎo)體。