9月24日，意法半導(dǎo)體（ST）官宣推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
source：意法半導(dǎo)體
意法半導(dǎo)體表示，其第四代碳化硅MOSFET技術(shù)在功率效率、功率密度和穩(wěn)定性方面樹(shù)立了新的標(biāo)桿。新技術(shù)在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)應(yīng)用需求的同時(shí)，還特別針對(duì)電動(dòng)汽車牽引逆變器應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。意法半導(dǎo)體還計(jì)劃在2027年之前推出更多先進(jìn)的碳化硅技術(shù)創(chuàng)新。
與硅基解決方案相比，ST的第四代碳化硅MOSFET效率更高、元件更小、重量更輕，并能夠延長(zhǎng)續(xù)航里程。目前，領(lǐng)先的電動(dòng)汽車制造商正與ST合作，將第四代碳化硅技術(shù)引入其車輛，以提高性能和能源效率。
雖然主要應(yīng)用是電動(dòng)汽車牽引逆變器，但ST的第四代碳化硅MOSFET也適用于大功率工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，可實(shí)現(xiàn)更高效、更可靠的電機(jī)控制，降低工業(yè)環(huán)境中的能耗和運(yùn)營(yíng)成本。
在可再生能源應(yīng)用中，ST第四代碳化硅MOSFET可提高太陽(yáng)能逆變器和儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率，有助于實(shí)現(xiàn)更可持續(xù)、更具成本效益的能源解決方案。此外，這些碳化硅MOSFET可用于AI服務(wù)器數(shù)據(jù)中心的電源裝置，其高效率和緊湊尺寸對(duì)于巨大的功率需求和熱管理挑戰(zhàn)至關(guān)重要。
ST的新型碳化硅MOSFET器件將提供750V和1200V兩個(gè)級(jí)別，將提高400V和800V電動(dòng)汽車牽引逆變器的能效和性能，將碳化硅的優(yōu)勢(shì)帶入中型和緊湊型電動(dòng)汽車。
截至目前，ST已完成第四代碳化硅技術(shù)平臺(tái)750V電壓等級(jí)的認(rèn)證，預(yù)計(jì)將在2025年第一季度完成1200V電壓等級(jí)的認(rèn)證。標(biāo)稱電壓為750V和1200V的設(shè)備將隨后投入商業(yè)使用，使設(shè)計(jì)人員能夠滿足從標(biāo)準(zhǔn)交流線電壓到高壓電動(dòng)汽車電池和充電器的應(yīng)用。
截至目前，ST已為全球500多萬(wàn)輛乘用車提供STPOWER碳化硅器件，用于牽引逆變器、OBC（車載充電器）、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車充電站和電動(dòng)壓縮機(jī)等一系列電動(dòng)汽車應(yīng)用，提高了新能源汽車的性能、效率和續(xù)航里程。（來(lái)源：意法半導(dǎo)體，集邦化合物半導(dǎo)體整理）
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