文章分類： 企業(yè)

720萬片，華芯晶圖化合物半導體相關項目取得新進展

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 24 日 17:05 | | 分類: 企業(yè)
20日，據(jù)山西轉型綜改示范區(qū)官微消息，位于山西轉型綜改示范區(qū)瀟河新興產(chǎn)業(yè)園區(qū)的山西華芯半導體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地二期項目近日基建竣工，設備即將進場安裝，總占地面積約2.32萬平米。 source：山西轉型綜改示范區(qū) 據(jù)山西華芯半導體晶體材料產(chǎn)業(yè)基地負責人介紹，一期項目已于2022年...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:33 | | 分類: 企業(yè)
9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術，是鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

長光華芯化合物半導體項目正式封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 23 日 16:30 | | 分類: 企業(yè)
據(jù)長光華芯官微消息，9月20日，長光華芯先進化合物半導體光電子平臺項目正式封頂。 source：長光華芯 長光華芯指出，本次項目封頂標志著長光華芯在多種化合物半導體光電芯片、器件等方面的產(chǎn)能、研發(fā)水平、橫向擴展和縱向延伸能力都將邁上新臺階。 橫向覆蓋從可見光、近紅外、中波、長波...  [詳內(nèi)文]

70億，重慶三安8英寸碳化硅襯底廠點亮通線

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 20 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
車用碳化硅市場，近日再次傳出利好消息。三安光電相關負責人近日透露，重慶三安項目（系8英寸碳化硅襯底配套工廠）已實現(xiàn)襯底廠的點亮通線。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，2023年6月，三安光電和意法半導體同時官宣在重慶合資建廠，進行8英寸碳化硅芯片大規(guī)模量產(chǎn)計劃，成為去年在碳化硅...  [詳內(nèi)文]

廣東江門新增一氮化鎵功率半導體項目

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 19 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
9月9日，廣東省江門市生態(tài)環(huán)境局新會分局發(fā)布了“冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產(chǎn)新建項目”的環(huán)評文件受理公告。 公告顯示，冠鼎半導體氮化鎵功率半導體生產(chǎn)項目選址位于江門市新會區(qū)崖門鎮(zhèn)，屬于新建項目，項目總投資1.055億元，租賃江門市旭暉紡織有限公司已建廠房，廠房面積為2630平...  [詳內(nèi)文]

日本礙子官宣已成功制備8英寸SiC晶圓

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 19 日 17:55 |
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9月17日，日本礙子株式會（NGK，下文簡稱日本礙子）在其官網(wǎng)宣布，已成功制備出直徑為8英寸的SiC晶圓，并表示公司將于本月低在美國ICSCRM 2024展示8英寸SiC晶圓及相關研究成果。 公開資料顯示，日本礙子成立于1919年5月5日，主要業(yè)務包括制造和銷售汽車尾氣凈化所需的...  [詳內(nèi)文]

120萬套，長城汽車“第三代半導體模組封測項目”完工

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 19 日 17:49 | | 分類: 企業(yè)
9月14日，水土保持網(wǎng)披露了長城無錫芯動半導體科技有限公司（下文簡稱“芯動半導體”）水土保持設施驗收鑒定書。文件顯示，芯動半導體年產(chǎn)120萬套第三代半導體功率模塊封測項目已于2024年5月完成建設，并在同月完成水土保持設施驗收工作。 資料顯示，芯動半導體無錫“第三代半導體模組封測...  [詳內(nèi)文]

安森美加快8英寸碳化硅生產(chǎn)進度

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 18 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
9月18日，據(jù)臺媒報道，安森美將加快8英寸碳化硅晶圓的生產(chǎn)進度，預計從2025年開始，可根據(jù)市場需求進行產(chǎn)能轉換。 source：安森美 法人預估，2024年安森美整體產(chǎn)能約40萬片，2025年將達到60萬片。法人推算碳化硅廠商整體擴產(chǎn)情況，以及逆變器、OBC、DC/DC轉換器...  [詳內(nèi)文]

晶旭半導體氧化鎵高頻濾波芯片生產(chǎn)線項目主體封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 09 月 18 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
9月17日，據(jù)“龍巖發(fā)布”官微消息，福建晶旭半導體科技有限公司（以下簡稱：晶旭半導體）二期——基于氧化鎵壓電薄膜新材料的高頻濾波器芯片生產(chǎn)項目于2023年12月開工建設。目前，項目主體已經(jīng)全部封頂，預計年底之前具備設備模擬的條件。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目總投資16.8...  [詳內(nèi)文]