文章分類： 企業(yè)

優(yōu)晶科技8英寸電阻法SiC單晶生長設(shè)備通過技術(shù)鑒定

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 11 日 18:00 |
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今年4月，蘇州優(yōu)晶半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱優(yōu)晶科技）最新出口至某國際知名客戶的大尺寸電阻法長晶設(shè)備已順利通過驗收，標(biāo)志著優(yōu)晶科技國際業(yè)務(wù)取得突破。據(jù)悉，此次出口的SiC電阻法長晶設(shè)備，是優(yōu)晶科技根據(jù)市場需求研發(fā)的第四代產(chǎn)品，設(shè)備的穩(wěn)定性、可靠性、工藝水準(zhǔn)均有提升。 而在近...  [詳內(nèi)文]

印度或?qū)⑿陆ǘ嘧鵖iC晶圓廠？

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 11 日 17:55 |
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此前，印度軟件公司Zoho Corp. Pvt. Ltd.（“Zoho”）已與技術(shù)合作伙伴一起向印度政府提交了一份提案，將投資約7億美元用于制造化合物半導(dǎo)體，合作伙伴身份尚未透露。近日，Clas-SiC Wafer Fab Ltd.（下文簡稱Clas-SiC）在新聞報道中被指出與...  [詳內(nèi)文]

上海基地驗收，天岳先進(jìn)加速SiC襯底產(chǎn)能擴(kuò)張

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 07 日 18:00 |
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作為天岳先進(jìn)三大SiC材料生產(chǎn)基地之一，與其位于山東濟(jì)南和濟(jì)寧的兩大基地相比，其上?；仨椖克坪醺荜P(guān)注。 近日，天岳先進(jìn)上?；仨椖颗读俗钚逻M(jìn)展，再次成為焦點。2024年5月，天岳先進(jìn)位于上海臨港重裝備產(chǎn)業(yè)區(qū)的生產(chǎn)基地第一個項目完成驗收，意味著該生產(chǎn)基地由此進(jìn)入新的發(fā)展階段。...  [詳內(nèi)文]

SiC企業(yè)積亞半導(dǎo)體正式投產(chǎn)

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 07 日 17:59 |
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這家SiC企業(yè)正式投產(chǎn) 據(jù)臺媒報道，臺亞半導(dǎo)體旗下積亞半導(dǎo)體于昨（6）日舉辦客戶產(chǎn)品正式投片儀式，正式宣告積亞半導(dǎo)體開始進(jìn)入產(chǎn)品量產(chǎn)階段，并且預(yù)計2個月之后可以正式交貨給客戶。 積亞半導(dǎo)體在昨日正式將客戶產(chǎn)品進(jìn)行投片量產(chǎn)之后，專注生產(chǎn)SiC元器件，聚焦制造基礎(chǔ)家電、云端服務(wù)器電源...  [詳內(nèi)文]

簽約、備案，3個第三代半導(dǎo)體項目刷新“進(jìn)度條”

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 06 日 18:00 | | 分類: 企業(yè)
第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展帶動研究、產(chǎn)能等各類項目如雨后春筍般步入建設(shè)進(jìn)程中，近日，又有昕感科技第三代半導(dǎo)體功率模塊研發(fā)生產(chǎn)基地項目、東盟廣西第三代半導(dǎo)體研究院項目等3個項目披露了最新進(jìn)展。 昕感科技第三代半導(dǎo)體功率模塊項目簽約落戶無錫 6月5日，據(jù)錫東新城官微消息，昕感科技第三...  [詳內(nèi)文]

Kymera將收購先進(jìn)碳化硅材料廠Fiven

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 06 日 14:32 |
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6月4日，全球特種材料和表面技術(shù)公司Kymera International（“Kymera”）表示，將收購碳化硅（SiC）材料廠商Fiven ASA（“Fiven”）。該交易預(yù)計將在獲得常規(guī)監(jiān)管批準(zhǔn)后完成，具體交易細(xì)節(jié)尚未披露。 source：拍信網(wǎng) 據(jù)悉，F(xiàn)iven是由Op...  [詳內(nèi)文]

銘鎵半導(dǎo)體在氧化鎵材料方面實現(xiàn)新突破

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 06 日 14:30 |
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據(jù)北京順義消息，北京銘鎵半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱“銘鎵半導(dǎo)體”）在超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料開發(fā)及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)化方面實現(xiàn)新突破，已領(lǐng)先于國際同類產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 銘鎵半導(dǎo)體董事長陳政委表示，半絕緣型（010）鐵摻襯底和該襯底加導(dǎo)電型薄膜外延，目前國際可做到25毫米...  [詳內(nèi)文]

恩智浦與采埃孚合作開發(fā)基于SiC的牽引逆變器

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 05 日 18:00 |
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6月4日，NXP Semiconductors NV（恩智浦半導(dǎo)體）在官網(wǎng)披露，其與ZF Friedrichshafen AG（采埃孚）公司合作，為電動汽車（EV）開發(fā)基于碳化硅（SiC）的下一代牽引逆變器解決方案。通過利用恩智浦GD316x高壓（HV）隔離柵極驅(qū)動器，該解決方案...  [詳內(nèi)文]

吉利汽車與半導(dǎo)體龍頭簽署SiC長期供應(yīng)協(xié)議

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 05 日 10:51 |
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6月4日，意法半導(dǎo)體（ST）官微宣布，公司已與吉利汽車簽署碳化硅（SiC）器件長期供應(yīng)協(xié)議，在原有合作基礎(chǔ)上進(jìn)一步加速碳化硅器件的合作。 source：吉利 按照協(xié)議規(guī)定，意法半導(dǎo)體將為吉利汽車旗下多個品牌的中高端純電動汽車提供SiC功率器件，幫助吉利提高電動車性能，加快充電速...  [詳內(nèi)文]

英諾賽科、CGD推出多款GaN新品

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 06 月 04 日 18:00 |
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近期，GaN產(chǎn)業(yè)熱度持續(xù)上漲，技術(shù)進(jìn)展、新品發(fā)布、項目建設(shè)、融資并購、廠商合作等各類動態(tài)讓人目不暇接，而在近日，英諾賽科、CGD兩家廠商接連發(fā)布了多款GaN新品，在一定程度上顯示了終端應(yīng)用需求正在持續(xù)增長。 英諾賽科發(fā)布三款GaN驅(qū)動器產(chǎn)品 5月30日，據(jù)英諾賽科官微消息，其宣布...  [詳內(nèi)文]