日前，遼寧百思特達半導體科技有限公司（以下簡稱“百思特達”）氮化鎵半導體芯片項目已進入產(chǎn)品試生產(chǎn)階段。
據(jù)此前披露消息，項目于2019年11月開工建設，總投資3億元，占地面積125畝，總建筑面積5萬余平方米。其中包括2棟氮化鎵外延片及芯片生產(chǎn)車間、1棟芯片封裝及應用產(chǎn)品生產(chǎn)制造車間、1棟成品庫房、1棟制氫站、1棟研發(fā)中心及綜合管理用房等建設內(nèi)容。
氮化鎵半導體芯片項目于2022年12月中旬全面竣工投產(chǎn)，在完成廠務動力設備包含電力設備系統(tǒng)、水設備系統(tǒng)、氣化設備系統(tǒng)、FFU系統(tǒng)等調(diào)試工作后，并同步對MOCVD、烤盤爐等一系列生產(chǎn)設備的一、二、三階調(diào)試完成后，開始進行產(chǎn)品試生產(chǎn)。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
氮化鎵半導體芯片項目的建成達產(chǎn)，將為百思特達增加10條氮化鎵外延生產(chǎn)線，實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片氮化鎵外延片和10億顆氮化鎵芯片的產(chǎn)能提升。
盤錦高新技術產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)消息稱，氮化鎵半導體芯片項目正式投產(chǎn)后，百思特達將成為擁有核心競爭力的氮化鎵芯片完整產(chǎn)業(yè)鏈綜合高新技術產(chǎn)業(yè)企業(yè)，盤錦也將成為全國氮化鎵芯片主要生產(chǎn)基地之一。
百思特達成立于2019年8月，是興隆臺區(qū)和盤錦高新區(qū)共同引進的高新技術產(chǎn)業(yè)項目。該公司主要研發(fā)生產(chǎn)氮化鎵晶圓及氮化鎵基芯片系列產(chǎn)品，是全國唯一一家擁有藍光LED外延生長技術和石墨烯薄膜沉積技術2項諾貝爾物理學獎產(chǎn)業(yè)的公司。（文：集邦化合物半導體 Cecilia整理）
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