日前，福建省發(fā)展和改革委員會(huì)印發(fā)2023年度省重點(diǎn)項(xiàng)目名單，2023年度省重點(diǎn)項(xiàng)目1580個(gè)，總投資4.09萬(wàn)億元，年度計(jì)劃投資6480億元。
省在建重點(diǎn)項(xiàng)目中，包括廈門(mén)士蘭12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、南安三安半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、廈門(mén)海滄區(qū)士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目、上杭晶旭半導(dǎo)體2英寸化合物半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)項(xiàng)目等第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目。
廈門(mén)士蘭12英寸特色工藝半導(dǎo)體芯片制造生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目
據(jù)消息，項(xiàng)目預(yù)計(jì)投資170億元，在廈門(mén)海滄建設(shè)兩條 12 英寸特色工藝芯片生產(chǎn)線。
總建筑面積約 25 萬(wàn)平方米，總投資 70 億元，分二期建成。項(xiàng)目一期建成達(dá)產(chǎn)后年銷(xiāo)售額將超過(guò) 10 億元。二期項(xiàng)目建成后，預(yù)計(jì)年生產(chǎn)總值可達(dá) 40 億 -50 億元。
圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)正版圖庫(kù)
南安三安半導(dǎo)體研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目
據(jù)此前披露消息，項(xiàng)目總投資約333億（含公共配套設(shè)施投資），全部項(xiàng)目計(jì)劃五年內(nèi)實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)、七年內(nèi)達(dá)產(chǎn)，經(jīng)營(yíng)期限不少于25年，達(dá)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)年銷(xiāo)售收入270億元。
項(xiàng)目具體包括七大產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目：高端氮化鎵 LED襯底、外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；高端砷化鎵 LED 外延、芯片的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；大功率氮化鎵激光器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；光通訊器件的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；射頻、濾波器的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；功率型半導(dǎo)體（電力電子）的研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目；特種襯底材料研發(fā)與制造、特種封裝產(chǎn)品應(yīng)用研發(fā)與制造產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。項(xiàng)目在2022年就入選了泉州市重點(diǎn)項(xiàng)目。
廈門(mén)海滄區(qū)士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目
士蘭明鎵于2022年7月啟動(dòng)化合物半導(dǎo)體第二期建設(shè)項(xiàng)目，即“SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目”。項(xiàng)目計(jì)劃投資15億元，建設(shè)一條6英寸SiC功率器件芯片生產(chǎn)線，最終形成年產(chǎn)14.4萬(wàn)片6英寸SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，其中SiC-MOSFET芯片12萬(wàn)片/年、SiC-SBD芯片2.4萬(wàn)片/年。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理）
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