中國第一,韓媒發(fā)布氧化鎵有效專利持有量排名

作者 | 發(fā)布日期 2023 年 03 月 27 日 17:18 | 分類 氮化鎵GaN

據(jù)韓媒報道,日前,韓國舉辦了“氧化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)路線圖研討會”,會上公布了氧化鎵專利申請情況。

根據(jù)AnA Patent對韓國、中國、美國、歐洲、日本等6個主要PCT國家/地區(qū)所持有的氧化鎵功率半導(dǎo)體元件有效專利分析,截至2021年9月共有1011件專利,其中中國擁有328件,日本擁有專利313件,兩國專利數(shù)量占總數(shù)的50%以上。2021年9月至2022年11月新增的460件專利中,大部分來自中國(240 件)和日本(87件)。

AnA Patent專利代理人表示,“僅過了1年零2個月,氧化鎵功率半導(dǎo)體元件相關(guān)專利數(shù)就增加了50%左右,世界各國的專利確保動向非?;钴S。雖然不能僅憑專利就討論實(shí)際技術(shù)能力,但值得關(guān)注的是,中國和日本申請了大量專利?!?/p>

氧化鎵,是繼Si、SiC及GaN后的第四代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以β-Ga2O3單晶為基礎(chǔ)材料的功率器件具有更高的擊穿電壓與更低的導(dǎo)通電阻,從而擁有更低的導(dǎo)通損耗和更高的功率轉(zhuǎn)換效率,在功率電子器件方面具有極大的應(yīng)用潛力。

圖片來源:拍信網(wǎng)正版圖庫

今年以來,我國在氧化鎵領(lǐng)域突破不斷。

2月,中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺在氧化鎵功率電子器件領(lǐng)域取得重要進(jìn)展,分別采用氧氣氛圍退火和N離子注入技術(shù),首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。

同月,中國電科46所成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶,達(dá)到國際最高水平。

3月,西安郵電大學(xué)由電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室陳海峰教授團(tuán)隊(duì)成功在8吋硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。(文:集邦化合物半導(dǎo)體 Doris整理)

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