據(jù)人民網(wǎng)消息，近日，哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)研究院有限公司（以下簡(jiǎn)稱“科友半導(dǎo)體”）開發(fā)的高性能碳化硅長(zhǎng)晶裝備和高質(zhì)量襯底產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)規(guī)?；a(chǎn)。自主研發(fā)的第三代半導(dǎo)體碳化硅產(chǎn)品不僅具有晶體生長(zhǎng)周期短、良率高等優(yōu)勢(shì)，而且將襯底成本降低一半以上。
科友半導(dǎo)體解決了大尺寸碳化硅單晶制備易開裂、缺陷密度高、生長(zhǎng)速率慢等技術(shù)難題，突破了碳化硅襯底產(chǎn)業(yè)化系列關(guān)鍵技術(shù)，完成了6英寸設(shè)備研制、生產(chǎn)線搭建、單晶襯底材料制備等，并在此基礎(chǔ)上進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了8英寸碳化硅單晶襯底制備。
目前，科友半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體產(chǎn)學(xué)研聚集區(qū)一期工程已投入生產(chǎn)，該項(xiàng)目總投資10億元，目前已安裝100臺(tái)長(zhǎng)晶爐，全部達(dá)產(chǎn)后可形成年產(chǎn)10萬(wàn)片6英寸碳化硅襯底的生產(chǎn)能力。二期工程將于近期開工建設(shè)，建成后將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)導(dǎo)電型碳化硅襯底15萬(wàn)片。
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按照發(fā)展規(guī)劃，未來(lái)兩年科友半導(dǎo)體將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)20~30萬(wàn)片碳化硅襯底的產(chǎn)能，成為全球碳化硅襯底重要供應(yīng)商之一。
SiC襯底是制造SiC器件最基礎(chǔ)的材料，也是發(fā)展SiC的關(guān)鍵。目前，SiC因其優(yōu)異的性能，廣受電動(dòng)汽車、可再生能源等領(lǐng)域的認(rèn)可。
據(jù)TrendForce集邦咨詢化合物半導(dǎo)體研究處最新發(fā)布的《2023 SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)分析報(bào)告-Part1》分析，2023年整體SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)22.8億美元，年成長(zhǎng)41.4%；至2026年SiC功率元件市場(chǎng)規(guī)?？赏_(dá)53.3億美元。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Amber整理）
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