近日，羅姆表示，公司650V耐壓、TOLL封裝的EcoGaN?產(chǎn)品GaN HEMT，被村田制作所Murata Power Solutions的AI服務器電源采用，預計該電源單元將于2025年開始量產(chǎn)。
source：羅姆半導體集團
村田表示，利用GaN HEMT的高速開關工作、低寄生電容以及零反向恢復特性，可將對開關損耗的影響控制到最小，還可提高開關轉換器的工作頻率并削減磁性元器件的尺寸。羅姆的GaN HEMT在性能方面非常具有競爭力，且可靠性也很高，用在村田的AI服務器5.5kW輸出電源單元中，取得了非常好的效果。未來，公司將通過繼續(xù)與在功率半導體領域優(yōu)勢顯著的羅姆合作，努力提高各種電源的效率，為解決電力供需緊張的社會課題貢獻力量。
氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，憑借其高頻、高效、高功率密度等特性，正在AI服務器市場中扮演越來越重要的角色。
氮化鎵在AI服務器中主要用于電源管理系統(tǒng)，特別是DC-DC（直流-直流）轉換器。隨著AI服務器功率密度從300W提升至1700W，傳統(tǒng)硅基器件難以滿足高效能需求，而氮化鎵可將能耗降低50%，顯著提升電源轉換效率。
AI服務器對機柜功率要求從30-40kW增至100kW，氮化鎵的高功率密度特性使其能在更小體積下實現(xiàn)更高性能，降低散熱需求，優(yōu)化數(shù)據(jù)中心空間利用率。
此外，氮化鎵的快速開關速度（比硅基快10倍以上）可提升服務器響應速度，滿足AI推理場景的實時性需求，例如圖像識別和自然語言處理。（集邦化合物半導體整理）
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