近期，媒體報道進化半導(dǎo)體完成近億元人民幣融資。據(jù)悉，進化半導(dǎo)體是以國際首創(chuàng)無銥工藝制備超寬禁帶材料氧化鎵為特色的化合物半導(dǎo)體襯底企業(yè)，創(chuàng)立于2021年5月，專注于以創(chuàng)新技術(shù)制備氧化鎵為代表的新一代半導(dǎo)體材料。
稍早之前，鎵仁半導(dǎo)體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。該公司是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導(dǎo)體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。
為滿足日益增長的多元需求，半導(dǎo)體從以硅、鍺為代表的第一代材料，以砷化鎵、磷化銦為代表的第二代材料，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代材料，發(fā)展至以氧化鎵為代表的第四代半導(dǎo)體材料。氧化鎵是什么？為何受到資本青睞？未來氧化鎵是否能取代碳化硅？
第四代半導(dǎo)體材料氧化鎵蓄勢待發(fā)
從第一代半導(dǎo)體材料到第四代半導(dǎo)體材料，禁帶寬度逐漸變大，從而愈發(fā)能在極端環(huán)境下使用。
△四代半導(dǎo)體材料及其禁帶寬度
Source：中國科普博覽
氧化鎵作為第四代材料代表，具備禁帶寬度大（4.8 eV）、臨界擊穿場強高（8MV/cm）、導(dǎo)通特性好（幾乎是碳化硅的10倍）、材料生長成本低等優(yōu)勢，業(yè)界認為，未來，氧化鎵極有可能成為高功率、大電壓應(yīng)用領(lǐng)域的主導(dǎo)者。
基于上述優(yōu)勢，氧化鎵得到了越來越多的關(guān)注和研究興趣。近期，我國在研究氧化鎵方面也取得了一系列進展。
今年3月媒體報道西安郵電大學(xué)在超寬禁帶半導(dǎo)體研究上取得重要進展，該校電子工程學(xué)院管理的新型半導(dǎo)體器件與材料重點實驗室陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質(zhì)量的氧化鎵外延片。
2月，中國電科46所宣布成功制備出我國首顆6英寸氧化鎵單晶，中國電科46所氧化鎵團隊聚焦多晶面、大尺寸、高摻雜、低缺陷等方向，從大尺寸氧化鎵熱場設(shè)計出發(fā)，成功構(gòu)建適用于6英寸氧化鎵單晶生長的熱場結(jié)構(gòu)，突破了6英寸氧化鎵單晶生長技術(shù)，具有良好的結(jié)晶性能，可用于6英寸氧化鎵單晶襯底片的研制。
2月，媒體報道中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)微電子學(xué)院龍世兵教授課題組聯(lián)合中科院蘇州納米所加工平臺，分別采用氧氣氛圍退火和氮離子注入技術(shù)，首次研制出了氧化鎵垂直槽柵場效應(yīng)晶體管。
氧化鎵能否與碳化硅競爭？
目前以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展風(fēng)頭正勁，全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，第三代半導(dǎo)體包括碳化硅與氮化鎵，整體產(chǎn)值又以碳化硅占80%為重。集邦咨詢預(yù)計2023年整體碳化硅功率元件市場產(chǎn)值達22.8億美元，年成長41.4%，至2026年碳化硅功率元件市場產(chǎn)值可望達53.3億美元。
與碳化硅一樣，氧化鎵適用于高功率、大電壓領(lǐng)域，而相比碳化硅，氧化鎵在性能和成本上更具優(yōu)勢，因而部分業(yè)界人士看好未來十年左右，氧化鎵可能成為碳化硅的有力競爭對手，在半導(dǎo)體市場大放異彩。
不過短期內(nèi)，氧化鎵還有諸多技術(shù)瓶頸待突破。比如，由于高熔點、高溫分解以及易開裂等特性，大尺寸氧化鎵單晶制備較難實現(xiàn)，我國大尺寸氧化鎵半導(dǎo)體材料的產(chǎn)出僅限于高?；蛘邔嶒炇遥嚯x真正規(guī)?；⑸虡I(yè)化量產(chǎn)還需要一定時間。
在資本青睞、科研人員重視下，氧化鎵正逐漸成為半導(dǎo)體賽道新風(fēng)口。隨著相關(guān)技術(shù)日漸成熟，未來氧化鎵技術(shù)有望不斷突破瓶頸，應(yīng)用不斷落地，在高功率、大電壓領(lǐng)域和碳化硅一樣得到長遠發(fā)展。（文：全球半導(dǎo)體觀察）
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