IPO是企業(yè)獲得融資、提升品牌知名度的重要手段之一，在尚未正式登陸資本市場之前，企業(yè)IPO相關(guān)進展，都有可能收割一波流量，成為業(yè)界關(guān)注的焦點，進而擴大企業(yè)在市場中的影響力。
對于當前十分火熱的SiC產(chǎn)業(yè)而言，除了大手筆擴產(chǎn)、大規(guī)模融資、重量級合作等動作外，廠商IPO也能夠一石激起千層浪，尤其是知名企業(yè)開始沖刺IPO，更容易引發(fā)廣泛關(guān)注。
2023年3家三代半相關(guān)廠商成功登陸資本市場
2023年，整個第三代半導體產(chǎn)業(yè)有多家廠商IPO傳出新進展，其中，晶升股份、芯聯(lián)集成、鍇威特分別于4月、5月和8月成功上市，引發(fā)廣泛關(guān)注。
值得注意的是，3家廠商均在科創(chuàng)板上市，或與科創(chuàng)板對公司凈利潤、現(xiàn)金流量等要求不高，而是更看重申請公司的技術(shù)創(chuàng)新實力有關(guān)。據(jù)悉，半導體研發(fā)投入普遍較大，短期內(nèi)大部分公司難以盈利或營收規(guī)模較小，登陸科創(chuàng)板是3家企業(yè)相對合適的選擇。
從技術(shù)創(chuàng)新方面來看，作為一家半導體設(shè)備供應商，在SiC、GaN等第三代半導體近年來市場規(guī)模持續(xù)擴大的趨勢下，晶升股份很早便開始布局SiC領(lǐng)域。2020年，晶升股份已完成6英寸半絕緣型SiC單晶爐研發(fā)、改進、定型；在6英寸向8英寸轉(zhuǎn)型升級趨勢下，晶升股份又積極推動8英寸SiC單晶爐的成熟及推廣應用。目前，晶升股份8英寸SiC長晶設(shè)備進展順利，已通過了客戶批量驗證，有利于搶占先機。
芯聯(lián)集成以代工制造為主營業(yè)務，但正在向SiC領(lǐng)域傾斜。2023年，據(jù)稱，芯聯(lián)集成應用于車載主驅(qū)逆變大功率模組的車規(guī)級SiC MOSFET已量產(chǎn)，最新一代產(chǎn)品的技術(shù)性能達到全球先進水平。
鍇威特則在SiC MOSFET等方面已取得深厚技術(shù)積累，具備650V-1700V SiC MOSFET設(shè)計能力，其SiC功率器件已順利實現(xiàn)產(chǎn)品布局，進入產(chǎn)業(yè)化階段。
晶升股份、芯聯(lián)集成、鍇威特在技術(shù)和產(chǎn)品方面各具特色，成為推動IPO進程并最終上市的有利因素之一，也在一定程度上提醒后來者，資本市場看重企業(yè)研發(fā)實力，加大研發(fā)相關(guān)投入是必要的。
從財報方面來看，晶升股份、鍇威特2023年營收分別為4.06億元、2.14億元，歸母凈利潤分別為0.72億元、0.18億元。
盡管晶升股份、鍇威特兩家廠商營收凈利規(guī)模都相對較小，但二者都受到資本市場青睞。其中，晶升股份業(yè)績增速較快，其2023年營收凈利分別同比增長82.70%、109.03%，顯示其正在良性發(fā)展；鍇威特盡管業(yè)績下滑，但原因之一是其所處的功率半導體市場處于周期較低區(qū)間，終端市場需求不及預期，鍇威特業(yè)績受到波及，同時，其加大研發(fā)投入，也對業(yè)績有一定影響。
2024年以來三代半相關(guān)企業(yè)IPO一覽
2023年，晶升股份、芯聯(lián)集成、鍇威特3家企業(yè)成功上岸，在一定程度上提振了相關(guān)廠商沖刺IPO的信心。時間剛剛來到2024年，就有不少廠商躍躍欲試，相繼開啟IPO之旅。
2024年至今，據(jù)集邦化合物半導體不完全統(tǒng)計，有10家三代半相關(guān)廠商IPO傳出新進展，包括納設(shè)智能、瀚天天成、邑文科技、芯長征、芯三代、萊普科技、拉普拉斯、英諾賽科、芯谷微以及株洲科能。
其中，作為少數(shù)GaN IDM廠商，英諾賽科被曝正計劃最早于今年內(nèi)，在香港進行IPO，融資規(guī)模約3億美元。2023年，英諾賽科直言已做到GaN器件累積出貨數(shù)量、市場份額、量產(chǎn)交付能力等多項全球第一，這在一定程度上增強了資本市場對其未來發(fā)展前景的樂觀預期，有利于英諾賽科順利推進上市進程。
隨著2023年11月，英諾賽科（蘇州）全球研發(fā)中心的正式啟用，英諾賽科將以此為基礎(chǔ)，開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究，全面提升GaN材料與器件的整體競爭力。未來，英諾賽科在GaN賽道的實力和影響力有望再上一個臺階，進一步利好其沖刺IPO。
另外9家廠商當中，瀚天天成和株洲科能IPO審核處于中止狀態(tài)，這是因為兩家企業(yè)發(fā)行上市申請文件中記載的財務資料已過有效期，需要補充提交。目前，瀚天天成和株洲科能IPO已問詢，提交最新財務資料后，有望順利進入下一階段。
從財報數(shù)據(jù)來看，2020-2022年，瀚天天成營收分別為0.63億元、1.75億元、4.41億元，而在2023年上半年，其營收已達5.86億元，超過2022年全年；同期，瀚天天成歸母凈利潤分別為-0.06億元、0.20億元、1.43億元，增速較快。整體來看，瀚天天成近年來業(yè)績處于穩(wěn)健增長態(tài)勢，對于投資者而言是相對良好的投資標的。
從業(yè)務進展情況來看，根據(jù)招股書，瀚天天成是國內(nèi)首家實現(xiàn)商業(yè)化3英寸、4英寸和6英寸SiC外延晶片批量供應的生產(chǎn)商，同時也是國內(nèi)少數(shù)獲得汽車質(zhì)量認證（IATF 16949）的SiC外延生產(chǎn)商之一。目前，瀚天天成已經(jīng)實現(xiàn)了國產(chǎn)8英寸SiC外延片技術(shù)的突破并獲得了客戶的正式訂單，成功躋身SiC材料主流廠商行列。
拉普拉斯是上述廠商當中IPO進展較快的一家，其首次公開發(fā)行股票并在科創(chuàng)板上市的注冊申請已在3月27日獲批生效。作為一家設(shè)備廠商，拉普拉斯可為客戶提供半導體分立器件設(shè)備和配套產(chǎn)品及服務，相關(guān)設(shè)備已完成向比亞迪、基本半導體的導入工作。
針對目前火熱的SiC產(chǎn)業(yè)，拉普拉斯推出了SiC基半導體器件用超高溫氧化爐和SiC基半導體器件用超高溫退火爐。其中，SiC基半導體器件用超高溫退火爐用于SiC的高溫退火活化工藝，可以消除晶格缺陷，有效提高器件的可靠性和成品率。隨著SiC功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴大，拉普拉斯SiC相關(guān)設(shè)備有望成為業(yè)績新增長點。
剩下6家企業(yè)中，納設(shè)智能、邑文科技、芯長征、芯三代、萊普科技目前均處于上市輔導階段，其中，納設(shè)智能、邑文科技、芯三代、萊普科技4家企業(yè)均為SiC設(shè)備相關(guān)廠商，在一定程度上表明SiC設(shè)備細分賽道目前在SiC產(chǎn)業(yè)鏈中發(fā)展勢頭較強勁。
4家SiC設(shè)備廠商當中，納設(shè)智能與芯三代同為SiC外延設(shè)備廠，納設(shè)智能自有第三代半導體SiC CVD外延設(shè)備，據(jù)稱是國內(nèi)首臺完全自主創(chuàng)新的SiC外延設(shè)備；芯三代研發(fā)的SiC CVD設(shè)備在高產(chǎn)能、6/8英寸兼容、CoO成本、長時間多爐數(shù)連續(xù)自動生長控制、低缺陷率、維護便利性和可靠性等方面都具有一定優(yōu)勢。
邑文科技主營業(yè)務為半導體前道工藝設(shè)備研發(fā)、制造，在進入輔導期之前，邑文科技剛剛完成新一輪融資，金額超5億元。目前，邑文科技設(shè)備已導入泰科天潤、三安光電、積塔半導體、比亞迪半導體等國內(nèi)SiC知名企業(yè)；萊普科技則在晶圓制造領(lǐng)域推出了SiC晶圓激光退火設(shè)備。
作為5家正在進行上市輔導的企業(yè)當中唯一一家芯片廠，芯長征核心技術(shù)團隊成員主要出自中國科學院，自2008年起就深度參與了國家重大科技專項（02專項）的功率芯片系列研制任務，其中包括2014年開始的SiC芯片研制任務。
2023年以來，芯長征已針對乘用車主驅(qū)開發(fā)出1200V 40/80mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品，成功躋身主流SiC MOSFET廠商行列。得益于技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)進展，芯長征自2017年3月成立以來已完成10輪融資，其中包括2021年12月的超5億人民幣C輪融資和2023年1月的數(shù)億人民幣D輪融資。
從業(yè)績方面來看，2023年，納設(shè)智能6英寸SiC外延設(shè)備批量出貨給多家外延客戶，也獲得了批量驗收，業(yè)績相較于2022年增長了10倍，這意味著相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)得到市場認可。
值得一提的是，上述10家廠商當中，半數(shù)企業(yè)尚未確定上市目的地，已經(jīng)披露IPO板塊的5家企業(yè)中，除英諾賽科瞄準港股外，瀚天天成、拉普拉斯、芯谷微、株洲科能目標板塊都是科創(chuàng)板。
總結(jié)
SiC產(chǎn)業(yè)當前發(fā)展形勢向好，前景光明，這為行業(yè)眾多新老玩家提供了一個全面布局SiC產(chǎn)業(yè)鏈的大舞臺。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究，2023年全球SiC Power Device市場規(guī)模約30.4億美元，至2028年有望上升至87.6億美元，CAGR達24%。
SiC廠商在技術(shù)和產(chǎn)品研發(fā)取得突破性進展、市場拓展成效逐步顯現(xiàn)之后，為尋求更大發(fā)展空間，登陸資本市場，大幅提升企業(yè)行業(yè)影響力已是水到渠成。同時，隨著SiC產(chǎn)業(yè)入局者越來越多，材料、器件、設(shè)備等各個細分賽道競爭日趨激烈，通過IPO獲得募集資金投入項目、研發(fā)、人才等方面，加強企業(yè)自身競爭力，將成為多數(shù)廠商的選擇。
從正處于IPO進程中的8家廠商來看，既有SiC玩家，也有GaN廠商，彰顯了以SiC、GaN為代表的第三代半導體產(chǎn)業(yè)正處于良性發(fā)展態(tài)勢，未來，有望看到更多企業(yè)開啟IPO之旅。
從2023年已上市和2024年一季度IPO迎來新進展的情況來看，各大廠商都有業(yè)務方面的拿手好戲，也得到了資本市場的認可，從而順利推進上市進程。下一個上岸的會是誰，讓我們拭目以待。（文：集邦化合物半導體Zac）
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