7月30日，據(jù)香港中通社消息，香港科技園公司與麻省光子技術(shù)(香港)有限公司（以下簡稱麻省光子技術(shù)）聯(lián)合舉行香港首條超高真空第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）外延片中試線啟動(dòng)儀式。
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儀式上，專注研發(fā)氮化鎵外延技術(shù)的麻省光子技術(shù)宣布，該公司計(jì)劃于香港科學(xué)園設(shè)立全港首個(gè)第三代半導(dǎo)體氮化鎵外延工藝全球研發(fā)中心，并于香港科技園微電子中心（MEC）開設(shè)首條超高真空量產(chǎn)型氮化鎵外延片中試線，預(yù)計(jì)將在香港投資至少2億港元（約1.85億人民幣），帶動(dòng)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展。
據(jù)介紹，麻省光子技術(shù)將聯(lián)合香港微電子專家開發(fā)下游的氮化鎵光電子和功率半導(dǎo)體器件。通過新產(chǎn)品的中試研發(fā)和孵化，建立前沿、完整的超高真空氮化鎵外延技術(shù)和產(chǎn)品專利包，目標(biāo)是三年內(nèi)完成中試并啟動(dòng)在香港的氮化鎵外延量產(chǎn)產(chǎn)線建設(shè)，實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)1萬片8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能，將香港制造的外延片產(chǎn)品推向全球市場。
據(jù)了解，第三代半導(dǎo)體是香港近年來重點(diǎn)發(fā)展的科技領(lǐng)域?；顒?dòng)中，香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局局長孫東表示，香港微電子研發(fā)院將于今年內(nèi)成立，并設(shè)立碳化硅（SiC）和氮化鎵兩條中試線，協(xié)助企業(yè)進(jìn)行試產(chǎn)、測試和認(rèn)證，促進(jìn)產(chǎn)、學(xué)、研合作。
此前據(jù)港媒報(bào)道，今年5月，香港立法會(huì)財(cái)務(wù)委員會(huì)批準(zhǔn)了高達(dá)28.4億港元（約26.32億人民幣）的撥款，用于設(shè)立一個(gè)專注于半導(dǎo)體研發(fā)的機(jī)構(gòu)——香港微電子研發(fā)院。據(jù)報(bào)道，香港微電子研發(fā)院將專注支持第三代半導(dǎo)體，包括碳化硅和氮化鎵，該研究中心將率先在大學(xué)、研發(fā)中心和業(yè)界之間就第三代半導(dǎo)體進(jìn)行合作。
除投資設(shè)立第三代半導(dǎo)體研究機(jī)構(gòu)外，香港還引入了第三代半導(dǎo)體碳化硅相關(guān)廠商。2023年10月，香港科技園與杰平方半導(dǎo)體簽署合作備忘錄，雙方將在香港科學(xué)園設(shè)立以第三代半導(dǎo)體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設(shè)香港首家8英寸碳化硅先進(jìn)垂直整合晶圓廠。
據(jù)杰平方介紹，該8英寸碳化硅先進(jìn)垂直整合晶圓廠項(xiàng)目總投資約69億港元（約63.94億人民幣），計(jì)劃到2028年年產(chǎn)24萬片碳化硅晶圓。
而通過本次引入氮化鎵廠商麻省光子技術(shù)，香港有望進(jìn)一步深化第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)布局，形成碳化硅、氮化鎵雙線發(fā)展態(tài)勢。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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