近日，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）官方微信消息，其標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)（CASAS）公布了13項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)新進(jìn)展，包括2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案、2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見、9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。
2項(xiàng)GaN HEMT動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案
2024年7月25日，由浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國(guó)際科創(chuàng)中心牽頭起草的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》、T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》已形成委員會(huì)草案，兩項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)委員會(huì)草案按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成。起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會(huì)，得到了很多CASAS正式成員的支持。委員會(huì)草案已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟常務(wù)理事及理事單位。
T/CASAS 34—202X《用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景?？蓱?yīng)用于以下器件：a)GaN增強(qiáng)型和耗盡型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。
T/CASAS 35—202X《用于第三象限續(xù)流的氮化鎵高電子遷移率晶體管動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法》描述了用于第三象限續(xù)流模式（包括硬關(guān)斷和零電流關(guān)斷）的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）電力電子動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻測(cè)試方法。適用于進(jìn)行GaN HEMT的生產(chǎn)研發(fā)、特性表征、量產(chǎn)測(cè)試、可靠性評(píng)估及應(yīng)用評(píng)估等工作場(chǎng)景?？蓱?yīng)用于以下器件：a)GaN增強(qiáng)型分立電力電子器件；b)GaN集成功率電路；c)以上的晶圓級(jí)及封裝級(jí)產(chǎn)品。
2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見
由賽邁科先進(jìn)材料股份有限公司牽頭起草的標(biāo)準(zhǔn)T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法》、T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》已完成征求意見稿的編制，該項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿按照CASAS標(biāo)準(zhǔn)制定程序，反復(fù)斟酌、修改、編制而成，起草組召開了多次正式或非正式的專題研討會(huì)。根據(jù)聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化工作管理辦法，2024年7月25日起開始征求意見，截止日期2024年8月24日。征求意見稿已經(jīng)由秘書處郵件發(fā)送至聯(lián)盟成員單位；非聯(lián)盟成員單位如有需要，可發(fā)郵件至：casas@casa-china.cn。
T/CASAS 036—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法》規(guī)定了采用輝光放電質(zhì)譜法測(cè)定等靜壓石墨構(gòu)件純度的方法，包括術(shù)語(yǔ)和定義、試驗(yàn)原理、試驗(yàn)環(huán)境、儀器設(shè)備、試劑與材料、試樣、試驗(yàn)步驟、試驗(yàn)結(jié)果及試驗(yàn)報(bào)告。
本文件適用于單個(gè)雜質(zhì)元素含量范圍為0.01mg/kg～5mg/kg的碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨構(gòu)件純度的測(cè)定，所述構(gòu)件包括碳化硅單晶生長(zhǎng)爐中的加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件。碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場(chǎng)部件，以及碳化硅外延生長(zhǎng)用石墨基材的純度測(cè)定可參考本文件。
T/CASAS 048—202X《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》描述了碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)識(shí)、包裝、運(yùn)輸和貯存等。
本文件適用于純度要求達(dá)到5N5（質(zhì)量分?jǐn)?shù)99.9995%）以上的碳化硅單晶生長(zhǎng)用或碳化硅粉體合成用等靜壓石墨，包括碳化硅單晶生長(zhǎng)用加熱器、坩堝、籽晶托等內(nèi)部構(gòu)件，以及碳化硅粉體合成用加熱器、坩堝等石墨熱場(chǎng)部件。
SiC MOSFET 閾值電壓等9項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿
7月19日，T/CASAS 021—202X《SiC MOSFET閾值電壓測(cè)試方法》等9項(xiàng)SiC MOSFET技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已完成征求意見稿的編制。
其中，T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法》由聞泰科技股份有限公司、重慶大學(xué)、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、浙江大學(xué)、泰克科技（中國(guó)）有限公司等聯(lián)合提出。
T/CASAS 033—20XX《SiC MOSFET功率器件開關(guān)動(dòng)態(tài)測(cè)試方法》針對(duì)SiC MOSFET器件的開關(guān)動(dòng)態(tài)特性，基于當(dāng)前SiC半導(dǎo)體行業(yè)的市場(chǎng)需求，對(duì)SiC MOSFET器件進(jìn)行特定測(cè)試電路下的脈沖測(cè)試，提案規(guī)定了測(cè)試所需要包含的設(shè)置條件、測(cè)試工具、測(cè)試項(xiàng)目以及計(jì)量方法等，包括：1、總則、規(guī)范性引用文件；2、術(shù)語(yǔ)、定義、文字符號(hào)；3、電路構(gòu)成和測(cè)試要求；4、操作方法和測(cè)試流程；5、計(jì)量方法和評(píng)價(jià)方案；6、其他安全注意事項(xiàng)等技術(shù)性內(nèi)容。（來源：全球半導(dǎo)體觀察）
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