據(jù)悉,在半導(dǎo)體工藝制程中,芯片內(nèi)阻越小,芯片面積越大,單芯片上缺點(diǎn)數(shù)越高,芯片的良率也會(huì)越差。對(duì)于10mΩ級(jí)別內(nèi)阻的GaN芯片,制造難度較大。而云鎵半導(dǎo)體近日在10mΩ內(nèi)阻GaN芯片研發(fā)方面取得了突破。
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近日,據(jù)云鎵半導(dǎo)體官微披露,其自主研發(fā)了650V...  [詳內(nèi)文]
云鎵發(fā)布650V/150A增強(qiáng)型GaN芯片 |
作者 chen, zac|發(fā)布日期 2024 年 05 月 27 日 18:00 | 分類 企業(yè) |