4月9日,杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱“鎵仁半導(dǎo)體”)宣布正式推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底,在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。
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據(jù)介紹,氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場(chǎng)強(qiáng)高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點(diǎn),使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]
鎵仁半導(dǎo)體推出2英寸晶圓級(jí)(010)氧化鎵單晶襯底 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率 |