最新文章

單筆最高135億，2023年SiC產業(yè)鏈融資一覽
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 18:05 | 分類 產業(yè)
融資多寡通常被視為一個行業(yè)興衰的標志之一，2023年全產業(yè)鏈融資上百起，SiC無疑正在蓬勃發(fā)展的道路上一路狂奔。 在新能源汽車、光儲充、5G通訊、軌道交通、智能電網等行業(yè)助推下，全球SiC市場需求迎來了井噴式爆發(fā)，受到資本市場熱捧也在情理之中。那么，2023年都有哪些廠商完成了融...  [詳內文]

涉資57億，又3個項目啟動
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 18:00 | 分類 企業(yè)
近日，3個項目相繼簽約啟動，分別是大江半導體碳化硅（SiC）項目、先越光電化合物半導體項目、瑞普智能功率半導體模組制造項目。 圖源：拍信網正版圖庫 先越光電半導體器件模組產業(yè)化項目落戶重慶萬州 1月13日，在重慶市2024年一季度重點制造業(yè)開工項目現場推進會萬州區(qū)分現場，集中開...  [詳內文]

Wolfspeed助力捷豹TCS車隊，征戰(zhàn)FE方程式大賽
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 17:24 | 分類 企業(yè)
Wolfspeed與捷豹TCS車隊延續(xù)全面技術合作，征戰(zhàn)FE電動方程式第十賽季。 ABB 國際汽聯電動方程式世界錦標賽（FE 電動方程式）在2024年迎來第十個賽季。近日，FE電動方程式第十賽季在墨西哥城站的揭幕戰(zhàn)圓滿開賽。捷豹TCS車隊首戰(zhàn)開門紅，新朋友Nick Cassidy...  [詳內文]

IQE持續(xù)開拓MicroLED外延業(yè)務，2023年營收約10.45億
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 16:46 | 分類 光電
1月16日消息，英國化合物半導體代工廠IQE表示，在2023下半年公司業(yè)務有所反彈的情況下，預計2023全年公司銷售收入約為1.15億英鎊（約合人民幣10.45億元）以上，相較2022年（1.67億英鎊）下降了30%，業(yè)績下滑主要是受到客戶提前囤積產品和庫存調整的影響。 圖片來...  [詳內文]

擴產SiC，三菱電機300億日元債券獲投資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 17 日 8:25 | 分類 企業(yè)
1月15日，日本索尼銀行發(fā)布消息稱，該銀行已經對三菱電機發(fā)行的綠色債券進行了投資。據悉，該綠色債券由三菱電機于2023年12月18日發(fā)行，年限為5年，發(fā)行額度為300億日元（約合14.75億人民幣），籌集資金將用于三菱電機的SiC功率半導體制造的設備投資、研發(fā)以及投融資。 so...  [詳內文]

飛仕得SiC測試設備成功認定浙江省首臺（套）裝備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 17:50 | 分類 企業(yè)
1月15日，杭州飛仕得科技股份有限公司（下文簡稱“飛仕得”）官微發(fā)文稱，公司的SiC器件智能動態(tài)測試裝備成功入選并被認定為浙江省首臺（套）裝備。 據介紹，SiC器件智能動態(tài)測試設備是飛仕得總結10多年SiC MOSFET/IGBT應用經驗開發(fā)的功率半導體動態(tài)參數測試系統，并經歷了...  [詳內文]

新增訂單約83.6億，中微公司2023年凈利預增超45%
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 17:24 | 分類 企業(yè)
1月14日，中微公司發(fā)布2023年年度業(yè)績預告稱，公司預計2023年營業(yè)收入約62.6億元，較2022年增加約15.2億元，同比增長約32.1%。其中，2023 年刻蝕設備銷售約 47.0 億元，同比增長約 49.4%；MOCVD 設備銷售約 4.6 億元，同比下降約 34.0%...  [詳內文]

“移族”獲數千萬元融資，氮化鎵加速進入儲能領域
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 16 日 16:28 | 分類 氮化鎵GaN
作為第三代半導體材料的“雙雄”之一，氮化鎵能突破硅的理論極限，滿足市場對功率半導體更低功耗、更高功率密度、更環(huán)保的需求，是當下熱門的技術，在資本市場備受青睞。 而隨著技術的成熟，氮化鎵的應用領域早已突破了消費電子，向數據中心、儲能、新能源汽車等領域拓展。其中，儲能領域市場廣闊，資...  [詳內文]

宏微科技公開SiC功率MOSFET器件專利
作者 |發(fā)布日期 2024 年 01 月 15 日 18:05 | 分類 企業(yè)
天眼查資料顯示，1月12日，宏微科技公開一項“SiC功率MOSFET器件及其制作方法”專利，申請公布號為CN117393605A，申請日期為2023年11月7日。 圖片來源：拍信網正版圖庫 該專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種SiC功率MOSFET器件及其制作方法，其中所述SiC功率...  [詳內文]