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晶盛機電實現(xiàn)8英寸襯底批量生產(chǎn)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 21 日 17:35 | 分類 企業(yè)
12月21日，晶盛機電在回答投資者提問時表示，公司8英寸碳化硅（SiC）襯底片已實現(xiàn)批量生產(chǎn)，量產(chǎn)晶片的核心位錯達到行業(yè)領(lǐng)先水平。 據(jù)悉，晶盛機電自2017年開始SiC晶體生長設(shè)備和工藝研發(fā)，經(jīng)過幾年沉淀，今年已經(jīng)迎來收獲期。今年2月4日，晶盛機電成功發(fā)布6英寸雙片式SiC外延設(shè)...  [詳內(nèi)文]

生產(chǎn)率增長100%！Riber外延設(shè)備獲美系客戶認證
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 20 日 17:52 | 分類 企業(yè)
昨日（12/19）,美國分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE）設(shè)備供應(yīng)商Riber宣布，MBE 8000平臺已獲得美國外延生產(chǎn)商的最終認證通過。 圖片來源：Riber 據(jù)介紹，MBE 8000可批量生長8片6英寸外延或4片8英寸外延，相比市面上現(xiàn)有...  [詳內(nèi)文]

一汽大灣區(qū)研發(fā)院揭牌，聚焦SiC功率半導(dǎo)體等方向
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 20 日 17:45 | 分類 功率
12月18日，中國第一汽車集團有限公司大灣區(qū)研發(fā)院揭牌儀式在深圳國資國企產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心舉行。 據(jù)悉，本次揭牌的中國一汽大灣區(qū)研發(fā)院將聚焦新能源和智能汽車領(lǐng)域前瞻技術(shù)、先進材料、功率電子、芯片與車路協(xié)同示范五大方向，全力推進全固態(tài)激光雷達、平面柵碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體與先進陶瓷材...  [詳內(nèi)文]

時代電氣取得高壓SiC電機控制器專利
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 20 日 17:44 | 分類 企業(yè)
天眼查資料顯示，12月12日，株洲中車時代電氣股份有限公司（以下簡稱時代電氣）公開一項“一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車”專利，申請公布號CN117220562A，申請日期為2023年8月30日。 該專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種高壓SiC電機控制器及包含其的電動汽車，...  [詳內(nèi)文]

聚焦SiC單晶襯底，世紀金芯和湖南S公司達成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 20 日 17:42 | 分類 企業(yè)
近日，合肥世紀金芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡稱世紀金芯）與湖南S公司正式簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。根據(jù)協(xié)議，雙方將圍繞碳化硅（SiC）單晶襯底在業(yè)務(wù)和技術(shù)方面推行戰(zhàn)略合作，年合作不低于5萬片，交易金額超過2億元。 資料顯示，世紀金芯成立于2019年12月，致力于第三代半導(dǎo)體SiC功能材料研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

美國射頻芯片巨頭Qorvo出售中國工廠，立訊接盤
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 19 日 14:14 | 分類 射頻
昨日（12/18），美國射頻芯片大廠Qorvo宣布擬將其位于中國北京和德州的組裝和測試工廠出售給代工廠立訊精密，目前雙方已就此達成最終協(xié)議，交易預(yù)計2024年上半年完成，最終取決于監(jiān)管機構(gòu)的批準，以及滿足或免除其他完成條件。 Qorvo x 立訊精密：兩項交易 根據(jù)本次協(xié)議，立訊...  [詳內(nèi)文]

晶盛機電：SiC生長設(shè)備自研自用，外延設(shè)備外銷
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 19 日 13:43 | 分類 企業(yè)
12月19日，晶盛機電在投資者互動平臺表示，公司碳化硅（SiC）生長設(shè)備為自研自用，對外銷售SiC外延設(shè)備。SiC襯底及外延片利潤情況受其市場價格、綜合成本等因素影響，隨著公司長晶及加工技術(shù)、成本控制的不斷優(yōu)化，預(yù)期未來利潤將因此受益。 source:晶盛機電 在SiC設(shè)備方面...  [詳內(nèi)文]

總投資約15億元，漢軒車規(guī)級SiC功率器件制造項目開工
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 19 日 13:40 | 分類 功率
據(jù)徐州高新發(fā)布消息，漢軒車規(guī)級功率器件制造項目開工建設(shè)。 漢軒車規(guī)級功率器件制造項目總投資約15億元，占地面積68.8畝，總建筑面積約8萬平米，潔凈室面積1.4萬平米，滿足6到8英寸晶圓生產(chǎn)需求，是一座專注于車規(guī)級功率器件的晶圓代工廠。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 該項目規(guī)劃 V...  [詳內(nèi)文]

總投資近10億，紹興新增SiC項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:46 | 分類 功率
近日，紹興中芯集成電路制造股份有限公司（以下簡稱中芯紹興）公布了“碳化硅（SiC）MOS芯片制造一期項目”環(huán)評表。據(jù)悉，該項目位于紹興市越城區(qū)，總投資9.61億元，主要從事6/8英寸SiC MOS芯片制造。 具體來看，該項目實施主體為中芯紹興控股子公司中芯越州集成電路制造（紹興）...  [詳內(nèi)文]

通用智能交付8英寸SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線
作者 |發(fā)布日期 2023 年 12 月 18 日 17:45 | 分類 企業(yè)
12月16日，河南通用智能裝備有限公司（以下簡稱通用智能）自主研發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）晶錠剝離產(chǎn)線正式交付客戶。 據(jù)通用智能介紹，由于SiC高硬度、高脆性特點，在SiC器件制造領(lǐng)域存在一個難點——晶錠分割工藝過程。目前，SiC晶錠主要通過砂漿線/金剛石線切割，效率低且損耗高。...  [詳內(nèi)文]