12月4日,時代電氣在投資者互動平臺表示,公司碳化硅(SiC)芯片生產(chǎn)線技術(shù)能力提升建設(shè)項目,項目建成達(dá)產(chǎn)后,將現(xiàn)有平面柵SiC MOSFET芯片技術(shù)能力提升到滿足溝槽柵SiC MOSFET芯片研發(fā)能力,將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線提升到6英寸,將現(xiàn)有4英寸SiC芯片線10000片/...  [詳內(nèi)文]
時代電氣6英寸SiC芯片升級項目預(yù)計年底完成 |
作者 huang, Mia|發(fā)布日期 2023 年 12 月 05 日 17:43 | 分類 企業(yè) |