據(jù)新聞晨報(bào)報(bào)道,8月21日,從江蘇通用半導(dǎo)體有限公司(下文簡(jiǎn)稱(chēng)通用半導(dǎo)體)傳來(lái)消息,由該公司自主研發(fā)的國(guó)內(nèi)首套的8英寸碳化硅晶錠激光全自動(dòng)剝離設(shè)備正式交付碳化硅襯底生產(chǎn)領(lǐng)域頭部企業(yè),并投入生產(chǎn)。
據(jù)了解,該設(shè)備可實(shí)現(xiàn)6英寸和8英寸碳化硅晶錠的全自動(dòng)分片,將極大地提升我國(guó)碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的自主化、產(chǎn)業(yè)化水平。該設(shè)備年可剝離碳化硅襯底20000片,實(shí)現(xiàn)良率95%以上,與傳統(tǒng)的線(xiàn)切割工藝相比,大幅降低了產(chǎn)品損耗,而設(shè)備售價(jià)僅僅是國(guó)外同類(lèi)產(chǎn)品的1/3。
值的一提的是,今年7月,通用半導(dǎo)體自研的碳化硅晶錠激光剝離設(shè)備成功實(shí)現(xiàn)剝離出130um厚度超薄SiC晶圓片。
資料顯示,通用半導(dǎo)體成立于2019年,致力于高端半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與材料的研發(fā)和制造。
在融資方面,通用半導(dǎo)體在2021年8月和2023年8月分別完成天使輪和A輪融資,投資方包括天演基金、拉薩楚源、渾璞投資、東北證券、鼎心資本等機(jī)構(gòu)。
在產(chǎn)品方面,通用半導(dǎo)體于2020年研發(fā)出國(guó)內(nèi)首臺(tái)半導(dǎo)體激光隱形切割機(jī);2022年成功推出國(guó)內(nèi)首臺(tái)18納米及以下SDBG激光隱切設(shè)備(針對(duì)3D Memory);2023年成功研發(fā)國(guó)內(nèi)首臺(tái)8英寸全自動(dòng)SiC晶錠激光剝離產(chǎn)線(xiàn);2024年研制成功SDTT激光隱切設(shè)備(針對(duì)3D HBM)。
江蘇通用半導(dǎo)體有限公司董事長(zhǎng)陶為銀介紹,采用基于激光工具和加工技術(shù)切割、剝離碳化硅晶錠,可實(shí)現(xiàn)高效、精確和高質(zhì)量的制造,極大地降低碳化硅襯底的生產(chǎn)成本,減少浪費(fèi)和環(huán)境影響。(文:集邦化合物半導(dǎo)體整理)
更多SiC和GaN的市場(chǎng)資訊,請(qǐng)關(guān)注微信公眾賬號(hào):集邦化合物半導(dǎo)體。