Tag Archives: 鎵仁半導體

鎵仁半導體推出氧化鎵專用長晶設備
作者 |發(fā)布日期 2024 年 09 月 23 日 16:33 | 分類 企業(yè)
9月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）發(fā)布了公司首臺氧化鎵專用晶體生長設備。該設備不僅滿足氧化鎵晶體生長的各項需求，還集成了多項自主創(chuàng)新技術，是鎵仁半導體實現(xiàn)氧化鎵單晶材料技術閉環(huán)的新里程碑。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，鎵仁半導體此次推出的氧化鎵專...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體完成近億元Pre-A輪融資
作者 |發(fā)布日期 2024 年 08 月 08 日 17:27 | 分類 企業(yè)
8月7日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）迎來了Pre-A輪融資及戰(zhàn)略合作簽約慶典。本輪投資由九智資本領投，普華資本共同投資。公司天使輪投資機構(gòu)藍馳創(chuàng)投、禹泉資本、毅嶺資本均出席共同見證此次融資簽約儀式。 source：鎵仁半導體 鎵仁半導體表示，本輪融資資金的...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 16 日 16:53 | 分類 企業(yè)
7月15日，據(jù)鎵仁半導體官微消息，鎵仁半導體于今年7月成功制備出3英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底，據(jù)稱為目前國際上已報導的最大尺寸。 source：鎵仁半導體 據(jù)鎵仁半導體介紹，在氧化鎵單晶襯底常見的主流晶面中，（010）襯底在物理特性和外延方面具有出色的表現(xiàn)。首先，（0...  [詳內(nèi)文]

聚焦氧化鎵，鎵仁半導體與邁姆思達成戰(zhàn)略合作
作者 |發(fā)布日期 2024 年 07 月 01 日 18:00 | 分類 企業(yè)
6月28日，據(jù)蘇州納米城官微消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱鎵仁半導體）近日與蘇州邁姆思半導體科技有限公司（以下簡稱邁姆思）于杭州簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。雙方將在先進半導體氧化鎵晶圓鍵合領域展開深度合作。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 據(jù)悉，邁姆思將與鎵仁半導體協(xié)作實現(xiàn)SiC和氧化...  [詳內(nèi)文]

鎵仁半導體推出2英寸晶圓級（010）氧化鎵單晶襯底
作者 |發(fā)布日期 2024 年 04 月 10 日 13:51 | 分類 功率
4月9日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布正式推出2英寸晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底，在(010)襯底的研發(fā)生產(chǎn)方面再創(chuàng)新高。 source：鎵仁半導體 據(jù)介紹，氧化鎵(β-Ga2O3) 具有禁帶寬度大、擊穿場強高、巴利加優(yōu)值大等優(yōu)點，使基于氧化鎵的功率器...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)首個6英寸氧化鎵襯底產(chǎn)業(yè)化公司誕生
作者 |發(fā)布日期 2024 年 03 月 21 日 11:21 | 分類 企業(yè)
3月20日，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布，公司聯(lián)合浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院、硅及先進半導體材料全國重點實驗室，采用自主開創(chuàng)的鑄造法于今年2月成功制備了高質(zhì)量6英寸非故意摻雜及導電型氧化鎵(β-Ga2O3)單晶，并加工獲得了6英寸氧化鎵襯底片...  [詳內(nèi)文]

專注于第四代半導體，鎵仁半導體完成天使輪融資
作者 |發(fā)布日期 2023 年 04 月 04 日 15:05 | 分類 產(chǎn)業(yè)
根據(jù)藍馳創(chuàng)投官方消息，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱：鎵仁半導體）近日正式完成數(shù)千萬天使輪融資。該輪融資由藍馳創(chuàng)投領投，禹泉資本跟投；融資將用于強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。 據(jù)悉，氧化鎵是一種無機化合物。作為第四代半導體的代表，氧化鎵被視為“替代碳化硅和氮化...  [詳內(nèi)文]