3月15日，臺灣漢磊集團董事長徐建華到訪愛仕特進行交流。
雙方在以下方面達成重要合作，基于雙方2022年已簽署的LTA協(xié)議，漢磊將重點考慮滿足愛仕特的代工產(chǎn)能需求；1700V和3300V SiC MOS的量產(chǎn)準備；共同合作開發(fā)SiC MOS trench工藝技術(shù)；共同合作開發(fā)SiC MOS 8英寸工藝技術(shù)。
交流中，徐建華介紹了漢磊集團SiC MOS現(xiàn)有的代工產(chǎn)能和新技術(shù)研發(fā)狀況，擴產(chǎn)的規(guī)劃和詳細進展，后續(xù)重點發(fā)展車規(guī)級芯片代工（長期為英飛凌車規(guī)級MOS提供代工服務(wù)）。
愛仕特方面，展示了公司自主研發(fā)并生產(chǎn)的全SiC MOS模塊，全部采用漢磊代工生產(chǎn)的1200V 17毫歐SiC MOS芯片，也是國內(nèi)率先上車使用的自主研發(fā)的SiC MOS芯片。
圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫
據(jù)悉，漢磊科技成立于1985年，是全球第一家Linear Bipolar IC專業(yè)代工廠，具備化合物半導(dǎo)體氮化鎵 (GaN) 及碳化硅 (SiC)專業(yè)代工能力，擁有1座 4/5英寸晶圓廠、2座 6英寸晶圓廠。
其中，4英寸月產(chǎn)能為1000 pcs、5英寸月產(chǎn)能為8000 pcs，6英寸月產(chǎn)能分別為17 000 pcs和33 000 pcs。
愛仕特主要從事第三代半導(dǎo)體碳化硅大功率電力電子芯片與模塊，以及相關(guān)系統(tǒng)方案的開發(fā)。產(chǎn)品涵蓋電壓650V-3300V、電流5A-150A的SiC MOS芯片，高功率低耗損的SiC MOS模塊，以及基于SiC MOS模塊的整機應(yīng)用系統(tǒng)方案，各項性能指標達到國際水平，提供各類規(guī)格參數(shù)的SiC MOS定制化服務(wù)。
目前，愛仕特采用6英寸技術(shù)已量產(chǎn)20余款 650V-3300V 全系列 SiC MOSFET 產(chǎn)品，并建立起車規(guī)級的 SiC MOS 模塊工廠。（文：集邦化合物半導(dǎo)體 Arely整理）
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