近日，伴隨著北京昌龍智芯半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱昌龍智芯半導(dǎo)體）舉行首次董事會(huì)暨揭牌儀式以及中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱中微公司）全資子公司中微半導(dǎo)體設(shè)備(廣州)有限公司（以下簡(jiǎn)稱中微廣州）舉行開(kāi)業(yè)慶典，SiC產(chǎn)業(yè)鏈再次迎來(lái)了兩個(gè)新玩家。
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昌龍智芯半導(dǎo)體揭牌啟動(dòng)
近日，昌龍智芯半導(dǎo)體舉行了首次董事會(huì)暨揭牌儀式。公司一期將投資6000萬(wàn)元，用于設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)搭建和前期研發(fā)、運(yùn)營(yíng)、營(yíng)銷。二期預(yù)備投資5億元到10億元，用于器件制造生產(chǎn)線建設(shè)和產(chǎn)品開(kāi)發(fā)制造。
據(jù)悉，昌龍智芯半導(dǎo)體是銘鎵半導(dǎo)體的下游企業(yè)，主營(yíng)業(yè)務(wù)為高端功率半導(dǎo)體芯片與器件，包括新材料氧化鎵功率芯片研發(fā)，高壓硅基、SiC基功率芯片MOSFET和IGBT設(shè)計(jì)、研發(fā)與銷售。
值得一提的是，2022年底，銘鎵半導(dǎo)體使用導(dǎo)模法成功制備了高質(zhì)量4英寸（001）主面氧化鎵單晶，完成了4英寸氧化鎵晶圓襯底技術(shù)突破，并且進(jìn)行了多次重復(fù)性實(shí)驗(yàn)，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)掌握第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料4英寸（001）相單晶襯底生長(zhǎng)技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化公司。
2024年以來(lái)，銘鎵半導(dǎo)體先后引進(jìn)氧化鎵產(chǎn)業(yè)上下游兩家企業(yè)總部落地順義，上游引進(jìn)了圓坤（北京）半導(dǎo)體裝備有限公司，下游引進(jìn)了氧化鎵高端功率器件設(shè)計(jì)與制造公司，并聯(lián)合順義現(xiàn)有模組電路企業(yè)創(chuàng)元成業(yè)進(jìn)行產(chǎn)品驗(yàn)證，組成國(guó)內(nèi)第一條氧化鎵專業(yè)生長(zhǎng)設(shè)備——晶體外延材料——功率器件——電路驗(yàn)證一體化聯(lián)合體。此次引入的昌龍智芯半導(dǎo)體是功率芯片器件設(shè)計(jì)企業(yè)，后期將制備打樣流片。
中微廣州正式開(kāi)業(yè)
3月25日，中微公司全資子公司中微廣州于廣州市增城經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行開(kāi)業(yè)慶典，正式投入運(yùn)營(yíng)。中微廣州將服務(wù)華南地區(qū)的重要客戶，成為中微公司戰(zhàn)略布局的重要組成部分。
隨著全資子公司中微廣州正式啟動(dòng)運(yùn)營(yíng)，中微公司的市場(chǎng)拓展能力有望進(jìn)一步提升，進(jìn)而在一定程度上推動(dòng)業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)。
2月28日，中微公司公布2023年度業(yè)績(jī)快報(bào)公告。數(shù)據(jù)顯示，公司2023年實(shí)現(xiàn)營(yíng)收約62.64億元，同比增長(zhǎng)約32.15%。其中，2023年刻蝕設(shè)備銷售約47.03億元，同比增長(zhǎng)約49.43%；MOCVD設(shè)備銷售約4.62億元，同比下降約33.95%。公司2023年新增訂單金額約83.6億元，同比增長(zhǎng)約32.3%。其中刻蝕設(shè)備新增訂單約69.5億元，同比增長(zhǎng)約60.1%。2023年歸母凈利潤(rùn)約17.86億元，同比增加52.67%；2023年歸母扣非凈利潤(rùn)約11.91億元，同比增加29.58%。
關(guān)于業(yè)績(jī)?cè)鲩L(zhǎng)原因，中微公司表示，營(yíng)收較上年同期增長(zhǎng)32.15%，主要系受益于半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)發(fā)展及公司產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)；而營(yíng)業(yè)利潤(rùn)、利潤(rùn)總額和歸母凈利潤(rùn)較上年同期分別增長(zhǎng)56.81%、59.74%和52.67%，主要原因?yàn)?023年收入增長(zhǎng)和毛利維持較高水平。
作為一家設(shè)備廠商，中微公司開(kāi)發(fā)的等離子體刻蝕設(shè)備和化學(xué)薄膜設(shè)備是制造各種微觀器件的關(guān)鍵設(shè)備，可加工微米級(jí)和納米級(jí)的各種器件。中微公司的等離子體刻蝕設(shè)備已被廣泛應(yīng)用于國(guó)際一線客戶先進(jìn)工藝的眾多刻蝕應(yīng)用，中微公司開(kāi)發(fā)的用于LED和功率器件外延片生產(chǎn)的MOCVD設(shè)備已在客戶生產(chǎn)線上投入量產(chǎn)。
值得注意的是，中微公司開(kāi)發(fā)的包括SiC、GaN功率器件等器件所需的多類MOCVD設(shè)備已經(jīng)取得了良好進(jìn)展，2024年將會(huì)陸續(xù)進(jìn)入市場(chǎng)。（集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理）
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