5月10日,比亞迪發(fā)布全新一代e平臺(tái)3.0 Evo及首搭車(chē)型海獅07EV。據(jù)悉,海獅07EV搭載的高效十二合一智能電驅(qū)系統(tǒng),全系搭載1200V SiC電控,采用23000rpm轉(zhuǎn)速電機(jī),其極速可達(dá)225km/h以上。
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在SiC模塊方面,e平臺(tái)3.0 Evo采用了疊層激光焊技術(shù),取代傳統(tǒng)的螺栓連接工藝,采用疊層激光焊SiC功率模塊,雜散電感大幅降低75%,電控最高效率達(dá)99.86%,過(guò)流能力提高了10%,實(shí)現(xiàn)SiC功率模塊性能全面躍升。
基于上述SiC功率模塊,海獅07EV整車(chē)能量轉(zhuǎn)化效率更高,系統(tǒng)的綜合工況效率最高達(dá)92%,在日常城市駕駛工況下,出行效率提升7%,續(xù)航里程可提升50km。
據(jù)悉,比亞迪是國(guó)內(nèi)較早引入SiC功率器件的新能源汽車(chē)廠商。早在2020年,比亞迪·漢EV成為了國(guó)內(nèi)首款采用SiC的車(chē)型,同年比亞迪決定在2023年實(shí)現(xiàn)SiC對(duì)IGBT的全部替換。
近年來(lái),為給其快速發(fā)展的新能源汽車(chē)業(yè)務(wù)提供功率器件產(chǎn)品支撐,比亞迪在SiC領(lǐng)域大力投資擴(kuò)產(chǎn)。2023年6月消息,深圳市生態(tài)環(huán)境局公布了關(guān)于《比亞迪汽車(chē)工業(yè)有限公司碳化硅外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目環(huán)境影響報(bào)告書(shū)》受理公告。
公告顯示,比亞迪擬在深圳市坪山區(qū)比亞迪汽車(chē)生產(chǎn)基地建設(shè)SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目,總投資約2.14億元,擴(kuò)建后將新增SiC外延片產(chǎn)能6000片/年,總產(chǎn)能達(dá)18000片/年。
在該SiC外延中試線量產(chǎn)項(xiàng)目之前,比亞迪已投資2億元建設(shè)了一條SiC外延片生產(chǎn)線,年產(chǎn)量為12000片。該SiC外延片生產(chǎn)線已于2022年1月開(kāi)始建設(shè),設(shè)備已經(jīng)安裝完畢,但尚未正式投入運(yùn)營(yíng)。
2023年11月28日,位于紹興濱海新區(qū)的比亞迪半導(dǎo)體功率器件和傳感控制器件研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目一期竣工。該項(xiàng)目總投資100億元,用地417畝,項(xiàng)目建設(shè)年產(chǎn)72萬(wàn)片功率器件產(chǎn)品和年產(chǎn)60億套光微電子產(chǎn)品生產(chǎn)線。一期項(xiàng)目研發(fā)生產(chǎn)的功率器件、傳感控制器件,均為新能源汽車(chē)核心器件。
值得一提的是,5月10日,比亞迪半導(dǎo)體取得一項(xiàng)“平面SiC MOSFET及其制造方法”專(zhuān)利,授權(quán)公告號(hào)CN112582461B,申請(qǐng)日期為2019年9月30日。
該專(zhuān)利摘要顯示,本公開(kāi)涉及一種平面柵SiC MOSFET及其制造方法,屬于半導(dǎo)體領(lǐng)域,能夠精準(zhǔn)實(shí)現(xiàn)短溝道。一種平面柵SiC MOSFET的制造方法,包括:在外延區(qū)上形成第一掩膜;刻蝕所述第一掩膜,形成第一注入窗口;通過(guò)所述第一注入窗口在所述外延區(qū)中形成阱區(qū);對(duì)剩余的所述第一掩膜進(jìn)行刻蝕以增大所述第一注入窗口,得到第二注入窗口;通過(guò)所述第二注入窗口在所述阱區(qū)中形成淺溝道阱區(qū),其中,所述淺溝道阱區(qū)的厚度被設(shè)置為能夠?qū)⑺鲒鍏^(qū)的橫向擴(kuò)展對(duì)溝道端點(diǎn)位置的影響降低到可忽略程度的厚度;以及在形成了所述淺溝道阱區(qū)的所述阱區(qū)中形成源極區(qū)。(集邦化合物半導(dǎo)體Zac整理)
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