12月22日,電科材料下屬國盛公司南京外延材料產業(yè)基地項目第一枚硅基氮化鎵(GaN on Si)外延片正式下線。
據介紹,GaN on Si材料具有高頻率、低損耗、抗輻射性強等優(yōu)勢,制成的器件還有一定的成本優(yōu)勢,具有較強的競爭力。國盛公司制備的GaN on Si外延片,可以滿足電...  [詳內文]
南京國盛第一枚GaN on Si外延片正式下線 |
作者 huang, Mia | 發(fā)布日期: 2023 年 12 月 25 日 17:43 | | 分類: 企業(yè) |