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加強(qiáng)射頻芯片業(yè)務(wù)統(tǒng)一管理，立昂微將轉(zhuǎn)讓海寧立昂東芯股權(quán)
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 30 日 17:40 | 分類 射頻
為加強(qiáng)射頻芯片業(yè)務(wù)統(tǒng)一管理，立昂微將海寧立昂東芯股權(quán)轉(zhuǎn)讓立昂東芯 11月29日，立昂微發(fā)布公告稱，公司擬將全資子公司海寧立昂東芯微電子有限公司（下文簡稱海寧立昂東芯）100%的股權(quán)轉(zhuǎn)讓給公司控股子公司杭州立昂東芯微電子有限公司。本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓是公司合并報表范圍內(nèi)的公司之間的股權(quán)轉(zhuǎn)讓...  [詳內(nèi)文]

東部高科加快GaN和SiC布局
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 30 日 17:40 | 分類 功率
據(jù)韓媒ETnews消息，近日，韓國晶圓代工大廠東部高科（DB HiTek）聘請了一位來自安森美的功率半導(dǎo)體專家。 業(yè)內(nèi)人士透露，東部高科聘請了安森美半導(dǎo)體前技術(shù)開發(fā)高級總監(jiān)Ali Salih，并讓他負(fù)責(zé)氮化鎵（GaN）工藝開發(fā)。 Salih是一位功率半導(dǎo)體工藝開發(fā)人員，擁有約20...  [詳內(nèi)文]

晶升股份總部生產(chǎn)及研發(fā)中心項目封頂
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 29 日 13:51 | 分類 企業(yè)
11月28日，晶升股份宣布，公司總部生產(chǎn)及研發(fā)中心項目完成封頂。 晶升股份表示，“總部生產(chǎn)及研發(fā)中心建設(shè)項目”是在公司現(xiàn)有主營業(yè)務(wù)的基礎(chǔ)上實(shí)施產(chǎn)能擴(kuò)充，同時進(jìn)行晶體生長設(shè)備和長晶工藝的技術(shù)研發(fā)與升級，加快研發(fā)成果產(chǎn)業(yè)化，助力公司拓寬產(chǎn)品線，從而更好地滿足客戶需求。 作為一家專業(yè)從...  [詳內(nèi)文]

392億，傳意法半導(dǎo)體將建新SiC晶圓廠
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 29 日 13:45 | 分類 企業(yè)
11月26日，據(jù)法國產(chǎn)業(yè)雜志新工廠（UsineNouvelle）報道，意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）繼與美商格羅方德在法國東南部Crolles的75億歐元（約588億人民幣）晶圓廠計劃后，為平衡集團(tuán)在意法兩國布署，亦將于意大利西西里島Catane投資50億歐元...  [詳內(nèi)文]

傳豐田將出售電裝持股，套現(xiàn)47億美元
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 18:18 | 分類 企業(yè)
路透社引述消息人士說法指出，豐田集團(tuán)（Toyota）擬削減手中持有的供應(yīng)商日本電裝（Denso）股份，估計到年底前出售電裝大約10%股份，以目前市價換算，售股價值約達(dá)7000億日元（約47億美元）。 在9月底時，豐田大約手握電裝24.2%的股份，在售股之后仍為電裝大股東。 匿名人...  [詳內(nèi)文]

國際ALD設(shè)備龍頭牛津儀器獲GaN大單
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 18:16 | 分類 企業(yè)
牛津儀器?(Oxford Instruments)?宣布旗下用于GaN HEMT 器件生產(chǎn)的等離子原子層沉積（ALD）和原子層蝕刻（ALE）設(shè)備獲得多家日本代工廠的大量訂單。 這些設(shè)備將支持高增長的GaN電力電子和射頻市場，其中消費(fèi)類快速充電和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用是GaN電力電子應(yīng)用的最...  [詳內(nèi)文]

中瓷電子：博威第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目建成投用
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 17:45 | 分類 企業(yè)
11月27日，中瓷電子在投資者互動平臺表示，公司子公司博威集成電路擴(kuò)建工程第三代半導(dǎo)體功率器件產(chǎn)業(yè)化項目已建成并投入使用，項目主要產(chǎn)品為氮化鎵（GaN）通信基站射頻芯片與器件等產(chǎn)品，產(chǎn)能規(guī)劃為600萬只/年。 中瓷電子稱，博威公司主營業(yè)務(wù)為氮化鎵通信射頻集成電路產(chǎn)品的設(shè)計、封裝、...  [詳內(nèi)文]

2億，中企在俄羅斯投資SiC項目
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 17:36 | 分類 企業(yè)
11月23日，據(jù)塔斯社報道，俄羅斯RusKlimat貿(mào)易和生產(chǎn)控股集團(tuán)新聞處發(fā)布消息稱，一家中國公司計劃投資25億盧布（約合人民幣2億元）在俄羅斯弗拉基米爾州啟動第三代功率半導(dǎo)體的批量生產(chǎn)，該項目最早將于2024年開始，分兩個階段實(shí)施。 消息指出，該項目計劃使用碳化硅（SiC）技...  [詳內(nèi)文]

英飛凌、巨子半導(dǎo)體推出1200V MOSFET新品
作者 |發(fā)布日期 2023 年 11 月 28 日 14:40 | 分類 企業(yè)
英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列 近日，英飛凌宣布采用新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，以擴(kuò)展其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模塊系列。 該款經(jīng)過驗證的62mm器件采用半橋拓?fù)湓O(shè)計，并基于最近推出的先進(jìn)M1H碳化硅（SiC）M...  [詳內(nèi)文]