文章分類： 企業(yè)

晶升股份研發(fā)出液相法碳化硅晶體生長設(shè)備

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 14 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
目前，PVT生長工藝是國內(nèi)廠商生長SiC晶體的主流方法，液相法生長技術(shù)則處于研究和開發(fā)階段。 關(guān)于液相法SiC晶體生長設(shè)備，晶升股份提前開展了相關(guān)布局并已經(jīng)在2023年提供樣機給多家客戶，隨后晶升股份協(xié)同客戶不斷進行優(yōu)化和改進，進一步提升晶體的品質(zhì)與良率。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版...  [詳內(nèi)文]

三安光電：已開發(fā)車規(guī)級GaN芯片技術(shù)平臺

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 14 日 18:00 |
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三安光電主要從事碳化硅、砷化鎵、氮化鎵、藍寶石等半導(dǎo)體新材料、外延、芯片與器件的研發(fā)、生產(chǎn)與銷售，5月13日，三安光電在投資者互動平臺披露了其第三代半導(dǎo)體、LED、濾波器等業(yè)務(wù)最新進展。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 開發(fā)車規(guī)級GaN芯片技術(shù)平臺 關(guān)于第三代半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)進展情況，...  [詳內(nèi)文]

碳化硅廠商昕感科技再添戰(zhàn)略股東

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 14 日 16:34 |
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5月11日，昕感科技官微發(fā)文稱，公司已完成京能集團旗下北京京能能源科技并購?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。 source：昕感科技 公開資料顯示，昕感科技成立于2020年9月，聚焦于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅（SiC）功率芯片和模塊設(shè)計、開發(fā)及制造，并分別在江陰和深圳設(shè)有芯片器件生產(chǎn)線和模塊模組研發(fā)...  [詳內(nèi)文]

聚焦碳化硅，羅姆與東芝聯(lián)手深化功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)合作

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 13 日 18:28 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)外媒報道，在羅姆近日召開的財務(wù)業(yè)績發(fā)布會上，公司總裁Isao Matsumoto（松本功）宣布，將于今年6月開始與東芝在半導(dǎo)體業(yè)務(wù)方面進行業(yè)務(wù)談判，預(yù)計談判將持續(xù)一年左右。兩家公司旨在加強旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)全方面合作，涵蓋技術(shù)開發(fā)、生產(chǎn)、銷售、采購和物流等領(lǐng)域。 松本功表示：“東芝...  [詳內(nèi)文]

揚杰科技、新潔能取得SiC、GaN相關(guān)專利

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 13 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
近日，揚杰科技和新潔能2家第三代半導(dǎo)體相關(guān)廠商分別取得SiC、GaN相關(guān)專利。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 揚杰科技取得GaN MOSFET專利 天眼查資料顯示，5月10日，揚杰科技取得一項“一種氮化鎵MOSFET封裝應(yīng)力檢測結(jié)構(gòu)”專利，授權(quán)公告號CN110749389B，申請日...  [詳內(nèi)文]

國內(nèi)最大碳化硅器件基地首棟建筑提前封頂

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 13 日 14:43 |
| 分類: 企業(yè)
據(jù)報道，長飛先進武漢基地項目首棟宿舍樓日前提前封頂，這標志著該項目進入投產(chǎn)倒計時，預(yù)計于今年6月全面封頂，明年7月投產(chǎn)。 source：中國光谷 長飛先進武漢基地項目位于武漢新城中心片區(qū)，由長飛先進半導(dǎo)體（武漢）有限公司出資建設(shè)，總投資預(yù)計超過200億元。 該項目主要聚焦于第三...  [詳內(nèi)文]

搭載1200V SiC電控，比亞迪發(fā)布海獅07EV

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 11 日 18:00 |
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5月10日，比亞迪發(fā)布全新一代e平臺3.0 Evo及首搭車型海獅07EV。據(jù)悉，海獅07EV搭載的高效十二合一智能電驅(qū)系統(tǒng)，全系搭載1200V SiC電控，采用23000rpm轉(zhuǎn)速電機，其極速可達225km/h以上。 圖片來源：拍信網(wǎng)正版圖庫 在SiC模塊方面，e平臺3.0 E...  [詳內(nèi)文]

10億，源芯微SiC芯片項目簽約落地浙江湖州

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 11 日 18:00 |
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5月9日，“南太湖發(fā)布”官微披露，浙江湖州南太湖新區(qū)管理委員會和安徽源芯微電子有限責任公司（以下簡稱源芯微電子）舉行源芯微電子年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造項目簽約儀式。 source：南太湖發(fā)布 據(jù)悉，此次簽約落地的年產(chǎn)20億只車規(guī)級芯片智造基地和SiC車規(guī)級芯片研究院項目總投資...  [詳內(nèi)文]

納微半導(dǎo)體公布2024年Q1業(yè)績

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 11 日 10:45 |
| 分類: 企業(yè)
5月9日，納微半導(dǎo)體發(fā)布2024年Q1財報。報告期內(nèi)，納微半導(dǎo)體總收入增長至2320萬美元（折合人民幣約1.68億元），同比增長73%。 2024年第一季度的GAAP營業(yè)虧損為3160萬美元（折合人民幣約2.28億元），與2023年同期的3550萬美元（折合人民幣約2.56億元）...  [詳內(nèi)文]

供貨天岳先進，連科半導(dǎo)體發(fā)布8英寸SiC長晶爐

作者 | 發(fā)布日期: 2024 年 05 月 10 日 18:00 |
| 分類: 企業(yè)
5月10日，連城數(shù)控官微消息顯示，第二屆第三代半導(dǎo)體晶體生長技術(shù)與市場研討會5月9日在江蘇無錫舉行。會上，連科半導(dǎo)體發(fā)布新一代8英寸SiC長晶爐，正式實現(xiàn)了大尺寸SiC襯底設(shè)備的全面供應(yīng)。該設(shè)備具有結(jié)構(gòu)設(shè)計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保的特點。 source：連城數(shù)控 會上，連科...  [詳內(nèi)文]