近日,廣東致能科技團隊與西安電子科技大學廣州研究院/廣州第三代半導體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進成教授團隊等等合作攻關(guān),通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片,基于廣州第三代半導體創(chuàng)新中心中試平臺,成功在6英寸藍寶石襯底上實現(xiàn)了1700V GaN HEMTs...  [詳內(nèi)文]
首個1700V GaN HEMT器件發(fā)布 |
作者 huang, Mia | 發(fā)布日期: 2024 年 01 月 24 日 17:17 | | 分類: 功率 |